形象記憶法 ：

學(xué)過(guò)能量守恒定律的我們都知道，能量不會(huì)無(wú)緣無(wú)故的產(chǎn)生，所以由此可見(jiàn)三極管一定不會(huì)產(chǎn)生能量。它只是把電源的能量轉(zhuǎn)換成信號(hào)的能量罷了。但三極管厲害的地方在于：它可以通過(guò)小電流控制大電流。假設(shè)三極管是個(gè)大壩，這個(gè)大壩奇怪的地方是，有兩個(gè)閥門(mén)，一個(gè)大閥門(mén)，一個(gè)小閥門(mén)。小閥門(mén)可以用人力打開(kāi)，大閥門(mén)很重，人力是打不開(kāi)的，只能通過(guò)小閥門(mén)的水力打開(kāi)。所以，平常的工作流程便是，每當(dāng)放水的時(shí)候，人們就打開(kāi)小閥門(mén)，很小的水流涓涓流出，這涓涓細(xì)流沖擊大閥門(mén)的開(kāi)關(guān)，大閥門(mén)隨之打開(kāi)，洶涌的江水滔滔流下。如果不停地改變小閥門(mén)開(kāi)啟的大小，那么大閥門(mén)也相應(yīng)地不停改變，假若能?chē)?yán)格地按比例改變，那么，完美的控制就完成了。

我們可以這樣形容這個(gè)過(guò)程：這里我們可以設(shè)定Ube是小水流，Uce是大水流，人就是輸入信號(hào)。當(dāng)然，如果把水流比為電流的話(huà)，會(huì)更確切，因?yàn)槿龢O管畢竟是一個(gè)電流控制元件。如果水流處于可調(diào)節(jié)的狀態(tài)，這種情況就是三極管中的線(xiàn)性放大區(qū)。如果那個(gè)小的閥門(mén)開(kāi)啟的還不夠，不能打開(kāi)大閥門(mén)，這種情況就是三極管中的截止區(qū)。如果小的閥門(mén)開(kāi)啟的太大了，以至于大閥門(mén)里放出的水流已經(jīng)到了它極限的流量，這種情況就是三極管中的飽和區(qū)。但是你關(guān)小小閥門(mén)的話(huà)，可以讓三極管工作狀態(tài)從飽和區(qū)返回到線(xiàn)性區(qū)。如果有水流存在一個(gè)水庫(kù)中，水位太高(相應(yīng)與Uce太大)，導(dǎo)致不開(kāi)閥門(mén)江水就自己沖開(kāi)了，這就是二極管的反向擊穿。PN結(jié)的擊穿又有熱擊穿和電擊穿。當(dāng)反向電流和反向電壓的乘積超過(guò)PN結(jié)容許的耗散功率，直至PN結(jié)過(guò)熱而燒毀，這種現(xiàn)象就是熱擊穿。電擊穿的過(guò)程是可逆的，當(dāng)加在PN結(jié)兩端的反向電壓降低后，管子仍可以恢復(fù)原來(lái)的狀態(tài)。電擊穿又分為雪崩擊穿和齊納擊穿兩類(lèi)，一般兩種擊穿同時(shí)存在。電壓低于5-6V的穩(wěn)壓管，齊納擊穿為主，電壓高于5-6V的穩(wěn)壓管，雪崩擊穿為主。電壓在5-6V之間的穩(wěn)壓管，兩種擊穿程度相近，溫度系數(shù)最好，這就是為什么許多電路使用5-6V穩(wěn)壓管的原因。

學(xué)過(guò)模電的人應(yīng)該都遇到過(guò)，模擬電路中一般閥門(mén)是半開(kāi)的，通過(guò)控制其開(kāi)啟大小來(lái)決定輸出水流的大小。沒(méi)有信號(hào)的時(shí)候，水流也會(huì)流，所以，不工作的時(shí)候，也會(huì)有功耗。而在數(shù)字電路中，閥門(mén)則處于開(kāi)或是關(guān)兩個(gè)狀態(tài)。當(dāng)不工作的時(shí)候，閥門(mén)是完全關(guān)閉的，沒(méi)有功耗。比如用單片機(jī)外界三極管驅(qū)動(dòng)數(shù)碼管時(shí)，確實(shí)會(huì)對(duì)單片機(jī)管腳輸出電流進(jìn)行一定程度的放大，從而使電流足夠大到可以驅(qū)動(dòng)數(shù)碼管。但此時(shí)三極管并不工作在其特性曲線(xiàn)的放大區(qū)，而是工作在開(kāi)關(guān)狀態(tài)(飽和區(qū))。當(dāng)單片機(jī)管腳沒(méi)有輸出時(shí)，三極管工作在截止區(qū)，輸出電流約等于0。在制造三極管時(shí)，要把發(fā)射區(qū)的N型半導(dǎo)體電子濃度做的很大，基區(qū)P型半導(dǎo)體做的很薄，當(dāng)基極的電壓大于發(fā)射極電壓(硅管要大0.7V，鍺管要大0.3V)而小于集電極電壓時(shí)，這時(shí)發(fā)射區(qū)的電子進(jìn)入基區(qū)，進(jìn)行復(fù)合，形成Ie；但由于發(fā)射區(qū)的電子濃度很大，基區(qū)又很薄，電子就會(huì)穿過(guò)反向偏置的集電結(jié)到集電區(qū)的N型半導(dǎo)體里，形成Ic；基區(qū)的空穴被復(fù)合后，基極的電壓又會(huì)進(jìn)行補(bǔ)給，形成Ib。
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理論記憶法：

下面我們來(lái)說(shuō)一下理論記憶法，根據(jù)下圖我們可以設(shè)定三極管的發(fā)射結(jié)和集電結(jié)均為反向偏置(VBE<0，VBC<0)，只有很小的反向漏電流IEBO和ICBO分別流過(guò)兩個(gè)結(jié)，故iB≈ 0，iC≈ 0，VCE ≈ VCC，對(duì)應(yīng)于下圖中的A點(diǎn)。這時(shí)集電極回路中的c、e極之間近似于開(kāi)路，相當(dāng)于開(kāi)關(guān)斷開(kāi)一樣。BJT的這種工作狀態(tài)稱(chēng)為截止。 

根據(jù)示意圖可知，當(dāng)發(fā)射結(jié)和集電結(jié)均為正向偏置(VBE>0，VBC>0)時(shí)，調(diào)節(jié)RB，使IB=VCC / RC，則BJT工作在上圖中的C點(diǎn)，集電極電流iC已接近于最大值VCC / RC，由于iC受到RC的限制，它已不可能像放大區(qū)那樣隨著iB的增加而成比例地增加了，此時(shí)集電極電流達(dá)到飽和，對(duì)應(yīng)的基極電流稱(chēng)為基極臨界飽和電流IBS，而集電極電流稱(chēng)為集電極飽和電流ICS(VCC / RC)。此后，如果再增加基極電流，則飽和程度加深，但集電極電流基本上保持在ICS不再增加，集電極電壓VCE=VCC-ICSRC=VCES=2.0-0.3V。這個(gè)電壓稱(chēng)為BJT的飽和壓降，它也基本上不隨iB增加而改變。由于VCES很小，集電極回路中的c、e極之間近似于短路，相當(dāng)于開(kāi)關(guān)閉合一樣。BJT的這種工作狀態(tài)稱(chēng)為飽和。由于BJT飽和后管壓降均為0.3V，而發(fā)射結(jié)偏壓為0.7V，因此飽和后集電結(jié)為正向偏置，即BJT飽和時(shí)集電結(jié)和發(fā)射結(jié)均處于正向偏置，這是判斷BJT工作在飽和狀態(tài)的重要依據(jù)。下圖示出了NPN型BJT飽和時(shí)各電極電壓的典型數(shù)據(jù)。

因此我們可以得出結(jié)論，那就是在開(kāi)關(guān)電路中三極管相當(dāng)于一個(gè)由基極電流所控制的無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)。三極管處于放大狀態(tài)還是開(kāi)關(guān)狀態(tài)要看給三極管基極加的電流Ib(偏流)，隨這個(gè)電流變化，三極管工作狀態(tài)由截止-線(xiàn)性區(qū)-飽和狀態(tài)變化而變。BJT截止時(shí)相當(dāng)于開(kāi)關(guān)“斷開(kāi)”，而飽和時(shí)相當(dāng)于開(kāi)關(guān)“閉合”。NPN型BJT截止、放大、飽和三種工作狀態(tài)的特點(diǎn)列于下表中。