你的位置:首頁 > 測試測量 > 正文

Vishay將在2013中國電子展成都站展示最新業(yè)界領(lǐng)先技術(shù)

發(fā)布時間:2013-06-18 責(zé)任編輯:Cynthiali

【導(dǎo)讀】Vishay 宣布將攜其全線最新技術(shù)方案,在6月20至22日成都世紀(jì)城新國際會展中心舉行的2013中國電子展成都站(夏季會)上展出。Vishay的展位在3號館A214,展示亮點(diǎn)是其最新的業(yè)界領(lǐng)先的創(chuàng)新產(chǎn)品,包括無源元件、二極管、功率MOSFET、功率IC和光電子產(chǎn)品。

在2013中國電子展上,Vishay Siliconix將展出在4.5V柵極電壓下最大導(dǎo)通電阻低至0.00135Ω的TrenchFET® Gen IV MOSFET,提高效率的600V和650V E系列器件,以及采用PowerPAK® SO-8L和8x8L封裝的50W前大燈照明LED驅(qū)動。重點(diǎn)展示的電源IC包括3mm x 3mm DFN10封裝的28V可編程的保護(hù)智能負(fù)載開關(guān),5mm x 5mm封裝的高密度60A功率級,100V全橋PWM控制器功率級。

Vishay Semiconductors將展示多種二極管產(chǎn)品,包括SMPD封裝的45V~120V TMBS® Trench MOS勢壘肖特基整流器和50V高電流密度器件,用于電動汽車、UPS和太陽能逆變器的Gen2 650 V FRED Pt®超快二極管,以及FRED Pt 超快恢復(fù)整流器。

另外,Vishay Semiconductors的表面貼裝PAR®和TRANSZORB®瞬態(tài)電壓抑制器也讓人眼前一亮,還有白光高亮度、高功率LED模塊,高亮度0402和0603尺寸的ChipLED,以及全集成的接近和環(huán)境光傳感器等光電子產(chǎn)品。

Vishay的無源元件包括多種最新型電容器、電阻和電感器。頗值得一看的電阻有可在235℃下工作的Vishay Beyschlag高電流溫度保險絲,Vishay Draloric 20kW不銹鋼功率電阻,以及采用模塑外殼的Vishay Dale Power Metal Strip®電池電流采樣電阻。

主推的電容器包括Vishay Vitramon高頻RF和微波MLCC,可用于DC-link和AC應(yīng)用的高峰值電流Vishay Roederstein薄膜電容器,以及Vishay ESTA功率電容器。主推的電容器還包括Vishay Sprague MICROTAN®固鉭片式電容器和Vishay液鉭電容器。

Vishay Dale將展出薄型、高電流IHLP®器件等電感器,用于LED SEPIC轉(zhuǎn)換器電路的IHCL耦合電感器,IWAS無線充電的Rx線圈。

除此以外,Vishay還將在2013中國電子展的展位上進(jìn)行兩項(xiàng)產(chǎn)品演示。Vishay Siliconix將展示對優(yōu)化了熱和電性能的SiZF904DT PowerPAIR® TrenchFET IV功率MOSFET。Vishay Semiconductors將系統(tǒng)演示采用低正向電壓和快速導(dǎo)通時間的TMBS整流器,以及高阻抗和減少信號損失的低CJ TVS產(chǎn)品。

中國電子展是中國西部地區(qū)領(lǐng)先的和最全面的電子和信息行業(yè)的展會。更多信息,請?jiān)L問http://www.icef.com.cn/summer_eng/index_ge.shtm。
                                         Vishay將在2013中國電子展成都站展示最新業(yè)界領(lǐng)先技術(shù)
相關(guān)閱讀:
Vishay新型單相橋式整流器 反向電壓可達(dá)1000V
Vishay推出滿足航空、航天需求的T16系列液鉭電容器

Vishay推出低至20m?導(dǎo)通電阻的P溝道高邊負(fù)載開關(guān)
Vishay新款功率MOSFET導(dǎo)通電阻比前一代器件低45%
要采購電容器么,點(diǎn)這里了解一下價格!
特別推薦
技術(shù)文章更多>>
技術(shù)白皮書下載更多>>
熱門搜索
?

關(guān)閉

?

關(guān)閉