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NXP超高能效比低VF肖特基整流器堪稱尺寸最小
發(fā)布時(shí)間:2012-08-14
導(dǎo)言:NXP近日推出采用1.0 x 0.6 x 0.37-mm超小扁平SMD塑料封裝DFN1006D-2 (SOD882D)、能效比最高的肖特基整流器。這款20-V、0.5-A PMEG2005BELD肖特基勢(shì)壘整流器是目前市場(chǎng)上尺寸最小的產(chǎn)品,在0.5-A正向電流下的最大正向電壓為390 mV,可以顯著提升電池壽命和性能。
恩智浦半導(dǎo)體NXP Semiconductors N.V.(NASDAQ:NXPI)近日推出采用1.0 x 0.6 x 0.37-mm超小扁平SMD塑料封裝DFN1006D-2 (SOD882D)、能效比最高的肖特基整流器。這款20-V、0.5-A PMEG2005BELD肖特基勢(shì)壘整流器是目前市場(chǎng)上尺寸最小的產(chǎn)品,在0.5-A正向電流下的最大正向電壓為390 mV,可以顯著提升電池壽命和性能。這款低VF肖特基整流器電氣性能卓越,是智能手機(jī)、平板電腦等需要在有限的PCB板空間下降低整體功耗的電池驅(qū)動(dòng)型移動(dòng)設(shè)備的理想選擇。該款超緊湊肖特基整流器將低正向電壓和低反向電流有機(jī)結(jié)合,在10-V反向電壓下的反向電流僅為50 µA,是智能手機(jī)、MP3播放器、平板電腦等背光顯示器的理想之選。
恩智浦二極管產(chǎn)品市場(chǎng)營銷經(jīng)理Wolfgang Bindke博士表示:“在當(dāng)今的智能手機(jī)中,電路板空間十分有限。我們應(yīng)客戶需求,設(shè)計(jì)了這款最新的低VF肖特基整流器,將體積大兩倍的產(chǎn)品的特性整合到一個(gè)小型1006 (0402)塑料封裝之中,性能絲毫未打折扣。該小型無引腳封裝的效率比尺寸相當(dāng)?shù)钠渌a(chǎn)品高出20%,由此我們樹立了新的低正向電壓標(biāo)準(zhǔn)。為了實(shí)現(xiàn)這些優(yōu)良的電氣參數(shù),我們對(duì)硅晶圓制程和封裝線進(jìn)行了優(yōu)化。”
PMEG2005BELD強(qiáng)大而緊湊,采用恩智浦獨(dú)有的鍍錫可焊性側(cè)焊盤。這些鍍錫側(cè)焊盤支持對(duì)焊點(diǎn)進(jìn)行目視檢查,因而對(duì)制造商具有較大的吸引力。與此同時(shí),借助可焊性側(cè)焊盤,可以減小與PCB電路板之間的縫隙、減少傾斜、提高剪力魯棒性?! ?br />
主要特性
平均正向電流:IF(AV) ≤ 0.5 A
反向電壓:VR ≤ 20 V
低正向電壓:VF ≤ 390 mV(0.5 A正向電流IF)
低反向電流:IR ≤ 50 µA(10 V反向電壓VR)
符合汽車行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101=
關(guān)鍵優(yōu)勢(shì)
正向電壓低導(dǎo)致功耗下降,進(jìn)而延長電池壽命 超小尺寸成就超高PCB封裝密度,導(dǎo)熱性卓越 器件高度極低(0.37 mm),支持短距離PCB堆棧、高堆棧密度 DFN1006D-2 (SOD882D)封裝采用鍍錫側(cè)焊盤,允許對(duì)焊點(diǎn)進(jìn)行光學(xué)檢查
恩智浦半導(dǎo)體NXP Semiconductors N.V.(NASDAQ:NXPI)近日推出采用1.0 x 0.6 x 0.37-mm超小扁平SMD塑料封裝DFN1006D-2 (SOD882D)、能效比最高的肖特基整流器。這款20-V、0.5-A PMEG2005BELD肖特基勢(shì)壘整流器是目前市場(chǎng)上尺寸最小的產(chǎn)品,在0.5-A正向電流下的最大正向電壓為390 mV,可以顯著提升電池壽命和性能。這款低VF肖特基整流器電氣性能卓越,是智能手機(jī)、平板電腦等需要在有限的PCB板空間下降低整體功耗的電池驅(qū)動(dòng)型移動(dòng)設(shè)備的理想選擇。該款超緊湊肖特基整流器將低正向電壓和低反向電流有機(jī)結(jié)合,在10-V反向電壓下的反向電流僅為50 µA,是智能手機(jī)、MP3播放器、平板電腦等背光顯示器的理想之選。
恩智浦二極管產(chǎn)品市場(chǎng)營銷經(jīng)理Wolfgang Bindke博士表示:“在當(dāng)今的智能手機(jī)中,電路板空間十分有限。我們應(yīng)客戶需求,設(shè)計(jì)了這款最新的低VF肖特基整流器,將體積大兩倍的產(chǎn)品的特性整合到一個(gè)小型1006 (0402)塑料封裝之中,性能絲毫未打折扣。該小型無引腳封裝的效率比尺寸相當(dāng)?shù)钠渌a(chǎn)品高出20%,由此我們樹立了新的低正向電壓標(biāo)準(zhǔn)。為了實(shí)現(xiàn)這些優(yōu)良的電氣參數(shù),我們對(duì)硅晶圓制程和封裝線進(jìn)行了優(yōu)化。”
PMEG2005BELD強(qiáng)大而緊湊,采用恩智浦獨(dú)有的鍍錫可焊性側(cè)焊盤。這些鍍錫側(cè)焊盤支持對(duì)焊點(diǎn)進(jìn)行目視檢查,因而對(duì)制造商具有較大的吸引力。與此同時(shí),借助可焊性側(cè)焊盤,可以減小與PCB電路板之間的縫隙、減少傾斜、提高剪力魯棒性?! ?br />
主要特性
平均正向電流:IF(AV) ≤ 0.5 A
反向電壓:VR ≤ 20 V
低正向電壓:VF ≤ 390 mV(0.5 A正向電流IF)
低反向電流:IR ≤ 50 µA(10 V反向電壓VR)
符合汽車行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101=
關(guān)鍵優(yōu)勢(shì)
正向電壓低導(dǎo)致功耗下降,進(jìn)而延長電池壽命 超小尺寸成就超高PCB封裝密度,導(dǎo)熱性卓越 器件高度極低(0.37 mm),支持短距離PCB堆棧、高堆棧密度 DFN1006D-2 (SOD882D)封裝采用鍍錫側(cè)焊盤,允許對(duì)焊點(diǎn)進(jìn)行光學(xué)檢查
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