產(chǎn)品特性：

• 是業(yè)界首個配備集成式快速體二極管的超結(jié)MOSFET解決方案
• 具備更低的單位面積通態(tài)電阻和易于控制的開關(guān)行為
• 可滿足最高汽車質(zhì)量認證標準AEC-Q101
• 具快速開關(guān)超結(jié)MOSFET的所有優(yōu)點

適用范圍：

• 適用于混合動力汽車和純電動汽車的電池充電

近日，英飛凌科技（IFNNY）推出全新650V CoolMOS™ CFDA，壯大其車用功率半導體產(chǎn)品陣容。這是業(yè)界首個配備集成式快速體二極管的超結(jié)MOSFET解決方案，可滿足最高汽車質(zhì)量認證標準AEC-Q101。650V CoolMOS™ CFDA尤其適用于混合動力汽車和純電動汽車的電池充電、直流/直流轉(zhuǎn)換器和HID（高強度放電）照明等諧振拓撲。

英飛凌推出的這種全新解決方案兼具快速開關(guān)超結(jié)MOSFET的所有優(yōu)點：更高的輕載效率、更低的柵極電荷、更低的開關(guān)損耗、更易使用以及出類拔萃的可靠性等。英飛凌全新推出的650V CoolMOS™ CFDA，是一種卓越的解決方案，可滿足汽車應(yīng)用對于更高能效的要求，它具備更低的單位面積通態(tài)電阻和易于控制的開關(guān)行為，以及業(yè)界首屈一指的體二極管耐用性。體二極管重復換向時更低的Qrr 和 Qoss 值可降低開關(guān)損耗和縮短開關(guān)延遲時間。

英飛凌科技高壓功率轉(zhuǎn)換產(chǎn)品部負責人Jan-Willem Reynaerts指出：“英飛凌依托于革命性的CoolMOS™ 工藝，在能源效率和功率密度方面獨占鰲頭。650V Cool-MOS™ CFDA進一步壯大了CoolMOS™ CFD產(chǎn)品家族的陣容，樹立了快速發(fā)展的電氣化汽車的性能新標桿。”

快速電流與電壓瞬變以及更軟換向行為的良好可控性，有助于降低EMI（電磁干擾），使這種新產(chǎn)品系列相對競爭產(chǎn)品具備明顯優(yōu)勢。硬換向時，體二極管上有限的電壓過沖使電路設(shè)計與PCB設(shè)計更為輕松。CoolMOS™ CFDA具備650V擊穿電壓，這意味著相對于600V擊穿電壓具備更高的安全裕度。

供貨與定價

IPW65R150CFDA（650V、150毫歐通態(tài)電阻、TO247封裝）的樣片現(xiàn)已開始供貨，單價為1.85歐元（訂購量達到1萬枚）。