產(chǎn)品特性：

• 額定峰值電壓為600 V
• 在單一封裝中結合了多個碳化硅二極管和多個功率晶體管
• 有助于家電和電力電子設備提高電源效率并實現(xiàn)更緊湊的設計

應用范圍：

• 用于家電（如空調(diào)）、PC服務器和太陽能發(fā)電系統(tǒng)等電力電子產(chǎn)品

瑞薩電子碳化硅（SiC）功率器件系列

全球領先的高級半導體和解決方案的供應商瑞薩電子株式會社（TSE：6723，以下簡稱“瑞薩電子”）宣布推出三款碳化硅（SiC）復合功率器件，它們是RJQ6020DPM、RJQ6021DPM和RJQ6022DPM。三款產(chǎn)品在單一封裝中結合了多個碳化硅二極管和多個功率晶體管，組成電源轉換電路。這些功率器件是瑞薩電子推出的采用碳化硅的第二個功率半導體產(chǎn)品系列。碳化硅是一種能有效降低損耗的新材料。全新功率器件旨在用于家電（如空調(diào)）、PC服務器和太陽能發(fā)電系統(tǒng)等電力電子產(chǎn)品。

最近，為了應對環(huán)保問題，降低電氣設備功耗，提高電氣產(chǎn)品效率的需求不斷提高。特別是提高電源轉換效率，以降低空調(diào)、通信基站、PC服務器和太陽能發(fā)電系統(tǒng)等產(chǎn)品的電源轉換電路的功耗，以及電機和工業(yè)設備等應用的逆變電路的功耗的趨勢日漸增強。這刺激了對具備更高效率和更低損耗特性的功率器件的巨大需求。為此，瑞薩電子推出了低損耗碳化硅肖特基勢壘二極管（SiC-SBD）產(chǎn)品。緊隨其后推出的是全新碳化硅復合功率器件系列，這可通過結合SiC-SBD和大功率MOSFET或IGBT在單一封裝中實現(xiàn)電路（開關、電源轉換等）設計。

這些新產(chǎn)品的額定峰值電壓為600 V，并使用基于日立株式會社與瑞薩電子聯(lián)手開發(fā)的低漏電流SiC-SBD技術的碳化硅二極管。它們將低損耗與緊湊設計加以完美結合，并采用5針TO-3P封裝，而引腳分配則針對具體應用進行了優(yōu)化，因而很容易在配置電路單元時使用這些器件。

三款全新SiC功率器件的主要特性：

• (1) 面向臨界導通模式PFC應用的RJQ6020DPM器件RJQ6020DPM器件在單一封裝中融合了一個SiC-SBD和兩個高壓功率MOSFET，適用于空調(diào)或平板電視電源開關電路等臨界導通模式PFC應用。SiC-SBD的反向恢復時間（trr）僅為15納秒（ns），高壓功率MOSFET是采用深溝槽配置實現(xiàn)100 m?低導通電阻的高效超結（SJ-MOS）晶體管。全新RJQ6020DPM器件也可與瑞薩電子提供的R2A20112A/132臨界導通模式PFC-IC結合應用，因而很容易實現(xiàn)交錯控制。

• (2) 面向連續(xù)導通模式PFC應用的RJQ6021DPM器件RJQ6021DPM器件在單一封裝中結合了一個SiC-SBD和兩個IGBT，適用于通信設備和PC服務器中的AC/DC整流器等PFC應用。SiC-SBD的反向恢復時間（trr）僅15納秒（ns），超薄晶圓IGBT可提供1.5 V的低導通電壓，這適用于連續(xù)導通模式PFC應用。全新RJQ6021DPM器件也可于瑞薩電子推出的R2A20114A連續(xù)導通模式PFC-IC結合應用，因而很容易實現(xiàn)交錯控制。

• (3) 面向半橋式逆變電路的RJQ6022DPM器件RJQ6022DPM器件在單一封裝中結合了兩個SiC-SBD和兩個IGBT，適用于空調(diào)和工業(yè)機械中電機驅(qū)動半橋式逆變電路應用。SiC-SBD的反向恢復時間（trr）僅15納秒（ns），超薄晶圓IGBT可提供1.5 V的低導通電壓和6微秒（μsec.）的短路時間（tsc），這適用于電機驅(qū)動應用。一個RJQ6022DPM器件足以實現(xiàn)一個半橋式電路設計，而兩個則可以用于實現(xiàn)全橋配置，三個可用于實現(xiàn)三相橋電路設計。除簡化電機驅(qū)動電路的設計外，RJQ6022DPM器件將作為套件解決方案的一部分，與RX600系列等瑞薩微控制器一起提供。

聚焦全新系列的高壓碳化硅復合功率器件，其開發(fā)是為了帶給客戶由微控制器及模擬和功率器件組成的整體解決方案，同時讓瑞薩電子躋身全球功率器件領袖行列。瑞薩電子計劃推出將全新碳化硅復合功率器件與微控制器、電源控制IC及其他器件相結合的套件解決方案。目前正在規(guī)劃裝有全新碳化硅復合功率器件、PFC-IC、RX600系列微控制器等的參考板，幫助客戶進行套件評估和產(chǎn)品設計。