- 具有非常出色的功率密度
- 雙面冷卻功能
- 最小寄生電感和電阻
- 適用于重負載應用
全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 宣布拓展了車用DirectFET®2功率MOSFET系列。該系列具有非常出色的功率密度、雙面冷卻功能以及最小寄生電感和電阻，適用于重負載應用，包括電動助力轉向系統(tǒng)、電源、混合動力汽車的電池開關、微型混合動力汽車的集成起動發(fā)電機系統(tǒng)等。
與傳統(tǒng)的標準塑料封裝器件相比，IR 的車用 DirectFET®2 器件可以實現(xiàn)整個系統(tǒng)級尺寸和更低的成本，以及超高的性能和效率。AUIRF7738L2 和 AUIRF7737L2 DirectFET®2 器件的電路板尺寸比 D2Pak 封裝小 60%，具有非常低的導通電阻(RDS(on))，而AUIRF7736M2 的電路板尺寸與 5x6 mm PQFN 封裝或者具有2.5mΩ 低導通電阻的 SO-8 封裝相同，因而適用于需要更低成本和功率的應用。
IR 亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“拓展后的 DirectFET®2 系列采用了 IR 先進的溝道硅工藝，以及堅固可靠的可擴展功率封裝，為汽車系統(tǒng)設計師提供了經(jīng)過驗證的卓越功率密度、雙面冷卻和低寄生封裝電感和電阻優(yōu)勢。”
AUIRF7737L2 和 AUIRF7738L2 與 IR 之前推出的 AUIRF7739L2 共用一個大罐電路板，使這些器件成為可擴展系統(tǒng)設計的理想元件。AUIRF7737L2 和 AUIRF7738L2 的封裝電流額定值為 315A，所以 DirectFET® 封裝沒有限制硅電流能力。而且，這兩種器件的最大封裝電流額定值遠遠超過了傳統(tǒng)的 DPak 和 D2Pak 封裝。
新器件符合 AEC-Q101 標準，是在IR要求零缺陷的汽車質量理念下研制而成的，所采用的環(huán)保材料既不含鉛，也符合電子產(chǎn)品有害物質管制規(guī)定 (RoHS) 。
