產(chǎn)品特性：

• 廣泛采用IBM硅鍺技術(shù)
• 130納米BiCMOS foundry工藝
• 實(shí)時帶寬超過30 GHz

應(yīng)用范圍：

• 各種高速測試應(yīng)用

泰克公司日前宣布，其下一代、可擴(kuò)展、高性能示波器平臺將廣泛采用IBM硅鍺 (SiGe技術(shù)，再次證明其致力于幫助全球工程師加速未來設(shè)計(jì)方案的調(diào)試與測試工作。130納米（nm）硅鍺雙極互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(BiCMOS) foundry工藝提供了兩倍于前代工藝技術(shù)的性能，能幫助推出實(shí)時帶寬超過30 GHz的示波器產(chǎn)品。 ) 8HP。

“泰克公司與IBM擁有長期的合作創(chuàng)新歷史，在我們的產(chǎn)品中采用SiGe技術(shù)使我們推出了一系列世界級的獲獎儀器，并幫助解決了一些最迫切的客戶挑戰(zhàn)”，泰克公司高性能示波器總經(jīng)理Brian Reich指出，“出色的SiGe技術(shù)性能，加上IBM穩(wěn)健可靠的SiGe制造實(shí)力，這將使我們的下一代示波器采集性能超過30 GHz，從而滿足計(jì)算/通信產(chǎn)業(yè)不斷發(fā)展的客戶需求。” 
 
1998年，IBM 成為首個面向主流制造領(lǐng)域推出硅鍺IC技術(shù)的公司。2000年，泰克公司宣布推出TDS7000系列實(shí)時示波器，這也是當(dāng)時速度最快的商用示波器，采用的正是IBM的旗艦SiGe 5HP技術(shù)。目前，泰克公司繼續(xù)采用IBM業(yè)界領(lǐng)先的IC技術(shù)，也就是其第四代SiGe 8HP技術(shù)。

SiGe半導(dǎo)體采用50年歷史芯片產(chǎn)業(yè)中可靠性較高的成熟制造工藝，其性能水平可與磷化銦(InP) 和砷化鎵 (GaAs) 等稀有材料技術(shù)相媲美。與其他技術(shù)不同的是，SiGe BiCMOS能在與標(biāo)準(zhǔn)CMOS相同的裸片上集成高速雙極晶體管，從而打造出具有超高性能與高集成度的電路系統(tǒng)。正是這種組合優(yōu)勢使得泰克公司10年來不斷推出特性豐富的高速數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)。

“近15年來，泰克公司同我們的工程師團(tuán)隊(duì)密切合作，全面發(fā)揮SiGe技術(shù)的潛力”，IBM創(chuàng)新副總裁Bernie Meyerson指出，“SiGe技術(shù)能繼續(xù)提供新一代高性能測試儀器所需的性能。鑒于SiGe技術(shù)的優(yōu)勢，該技術(shù)顯然仍是各種高速測試應(yīng)用的首選半導(dǎo)體技術(shù)。”

預(yù)計(jì)采用8HP SiGe技術(shù)的首批泰克公司產(chǎn)品將于2011年正式推出。