- 與首款BGA封裝產(chǎn)品相比，其封裝面積減小了39％，封裝高度降低了33％
- EFC4612R在4.5V時(shí)的導(dǎo)通電阻為24/39/45mΩ，封裝尺寸為1.26mm×1.26mm×0.37mm
- EFC4615R的導(dǎo)通電阻為19/27/31mΩ，封裝尺寸為1.46mm×1.46mm×0.37mm
- 手機(jī)鋰離子電池組等
三洋半導(dǎo)體上市了可供手機(jī)鋰離子電池組（1～2個(gè)電池單元）等使用的充放電保護(hù)電路用MOS FET新產(chǎn)品“EFC4612R/EFC4615R”。該產(chǎn)品在4個(gè)焊球的BGA封裝上各封裝了一個(gè)放電用和一個(gè)充電用FET。與該公司2年前推出的首款BGA封裝產(chǎn)品（EFC4601R）相比，此次產(chǎn)品（EFC4612R）的封裝面積減小了39％，封裝高度降低了33％。
面向新聞媒體的發(fā)布會(huì)。三洋半導(dǎo)體的吉村充弘（高端器件事業(yè)部小型器件開發(fā)部課長(zhǎng)）介紹了此次的產(chǎn)品。攝影：Tech-On!。投影顯示的是三洋半導(dǎo)體的數(shù)據(jù)。上部的大尺寸封裝為EFC4615R，下部的小尺寸封裝為EFC4612
該公司近日于東京面向新聞媒體舉行的發(fā)布會(huì)上表示，此次的產(chǎn)品在功能及性能相同的BGA封裝產(chǎn)品中為“業(yè)界最小最輕”（高端器件事業(yè)部小型器件開發(fā)部部長(zhǎng)秋庭隆史）。雖然LGA封裝有更小型的產(chǎn)品，但“從用戶封裝工時(shí)的角度看，不會(huì)輕易選擇LGA。一般都會(huì)考慮選擇BGA產(chǎn)品”（秋庭隆史）。
此次產(chǎn)品的應(yīng)用示例。藍(lán)色虛線內(nèi)的部分為此次的產(chǎn)品
EFC4612R與EFC4615R相比，導(dǎo)通電阻和封裝尺寸不同。EFC4612R在4.5V時(shí)的導(dǎo)通電阻RSSon為24/39/45（最小/平均/最大）mΩ，封裝尺寸為1.26mm×1.26mm×0.37mm。EFC4615R的導(dǎo)通電阻為19/27/31（最小/平均/最大）mΩ，封裝尺寸為1.46mm×1.46mm×0.37mm。2010年5月開始樣品供貨，樣品價(jià)格方面，EFC4612R為100日元，EFC4615R為150日元。從2010年6月開始以3000萬(wàn)個(gè)/月（兩型號(hào)合計(jì)）的規(guī)模實(shí)施量產(chǎn)。
封裝面積和高度的變化趨勢(shì)
半導(dǎo)體工藝和封裝均采用新技術(shù)
此次產(chǎn)品的開發(fā)過程中，上游的半導(dǎo)體工藝和下游的封裝工序均采用了新技術(shù)。前者采用了該公司最新的第五代溝道工藝。由此，與現(xiàn)有產(chǎn)品相比降低了導(dǎo)通電阻，并減小了封裝面積。性能指標(biāo)（標(biāo)準(zhǔn)化導(dǎo)通電阻）保持在71.5mΩ·mm2
改變焊錫球的形狀
后者的封裝采用了兩項(xiàng)扁平化技術(shù)。一是改變了焊錫球的形狀。從原來的球狀改為了半球狀，高度降低了120μm。第二項(xiàng)是封裝背面的保護(hù)膜技術(shù)。將Si部分的高度比原產(chǎn)品降低80μm，并為確保強(qiáng)度而在背面粘貼了20μm的保護(hù)膜。這減少了60μm的高度。兩項(xiàng)技術(shù)加起來，此次將高度從已有的EFC4601R的550μm降低了33％至370μm。
在背面增加保護(hù)膜
該公司的實(shí)驗(yàn)表明，在粘貼保護(hù)膜之后，抗沖擊性提高到了無(wú)保護(hù)膜時(shí)的2倍。另外，在板卡等上封裝此次的產(chǎn)品時(shí)，不易發(fā)生破裂及缺損。而且，此次還在黑色樹脂上配合使用了白色文字，與已有產(chǎn)品在金色封裝上采用黑色文字相比，文字的視認(rèn)性得以提高。
