產(chǎn)品特性：

• 使用先進(jìn)的PowerTrench®工藝技術(shù)，具有更低的RDS
• 提供大于2200V的HBM ESD保護(hù)等級(jí)
• 采用先進(jìn)的芯片級(jí)尺寸封裝工藝

應(yīng)用范圍：

• 充電、負(fù)載切換、DC-DC及升壓應(yīng)用

Fairchild因應(yīng)手機(jī)、便攜醫(yī)療設(shè)備和媒體播放器等便攜應(yīng)用設(shè)備的設(shè)計(jì)和元件工程師對(duì)在其設(shè)計(jì)中加入節(jié)省空間的高效器件的需求，推出N溝道MOSFET器件FDZ192NZ和FDZ372NZ，這兩款器件使用先進(jìn)的PowerTrench®工藝技術(shù)，具有更低的RDS(ON)，更高的效率，并可延長(zhǎng)電池壽命。

飛兆半導(dǎo)體的FDZ192NZ和FDZ372NZ是業(yè)界最小、最薄的晶圓級(jí)芯片尺寸(wafer-level chip-scale, WL-CSP) 封裝N溝道器件。這些器件通過(guò)使用先進(jìn)的芯片級(jí)尺寸封裝工藝，能夠顯著節(jié)省線路板空間，為便攜應(yīng)用帶來(lái)至關(guān)重要的優(yōu)勢(shì)。

這些先進(jìn)的WL-CSP MOSFET標(biāo)志著封裝技術(shù)的重大突破，使到器件能夠綜合出色的熱轉(zhuǎn)移特性、超薄封裝、低柵極電荷和低RDS(ON)特性，并確保在低至1.5V的VGS 下能達(dá)到RDS(ON)額定值。另外，這些器件還提供大于2200V的HBM ESD保護(hù)等級(jí)。

FDZ192NZ采用厚度僅為0.65mm 的1.5mm x 1.0mm封裝；FDZ372NZ采用1.0mm x 1.0mm封裝，具有業(yè)界領(lǐng)先的0.4mm厚度。相比尺寸為1.6mm x 1.6mm的業(yè)界最接近的同類器件，F(xiàn)DZ192NZ的體積減小了41%；而FDZ372NZ則減小了61%，高度降低了40%。

FDZ192NZ和FDZ372NZ是飛兆半導(dǎo)體豐富的先進(jìn)MOSFET產(chǎn)品系列中的一部分，這些器件能夠滿足市場(chǎng)對(duì)用于充電、負(fù)載切換、DC-DC及升壓應(yīng)用的緊湊的、薄型、高性能MOSFET器件的需求。