產(chǎn)品特性：

• 采用TSON先進(jìn)封裝
• 額定電流范圍為13A~26A
• RDS為4.3~12.2milliohms (mΩ)
• 輸入電容從990~2200 picofarads (pF)
• 反向傳輸電容(Crss)從54~140pF

應(yīng)用范圍：

• 同步DC-DC轉(zhuǎn)換器，如移動和臺式電腦，服務(wù)器，游戲機(jī)和其它電子器件
• 移動和臺式電腦，服務(wù)器，游戲機(jī)和其它電子器件

Toshiba美國電子元器件公司（TAEC）推出6器件采用TSON先進(jìn)封裝的30V MOSFET系列。這些新器件用于同步DC-DC轉(zhuǎn)換器中，如移動和臺式電腦，服務(wù)器，游戲機(jī)和其它電子器件中，移動和臺式電腦，服務(wù)器，游戲機(jī)和其它電子器件。由Toshiba開發(fā)的器件采用第五和第六代UMOS V-H和UMOS VI-H工藝技術(shù)，通過低柵極電荷(QSW)實(shí)現(xiàn)低側(cè)MOSFET的低導(dǎo)通電阻和高側(cè)MOSFET的快速轉(zhuǎn)換速度。薄型，緊湊型，3.3mmx3.3mmx0.9mm TSON先進(jìn)封裝相比于廣泛采用5.0mmx6.0mm SOP-8封裝，降低了64%的貼裝面積要求，同時具有同等功耗1.9W。

新的產(chǎn)品系列包括5個N溝道MOSFET和1個MOSBD，MOSFET和肖特基二極管融合在一個單一芯片上，提供了低電感結(jié)構(gòu)，從而提高功效。此產(chǎn)品系列提供了一系列特性使設(shè)計(jì)者符合各種系統(tǒng)要求。額定電流范圍為13A~26A，RDS(ON) (典型值)為4.3~12.2milliohms (mΩ)，輸入電容從990~2200 picofarads (pF) (典型值)，反向傳輸電容(Crss)從54~140pF(典型值)。