- 具有極低的輸入電容 (典型值55pF) 和總體柵極電荷 (1nC),以提升DC-DC升壓設計的效率
- 采用飛兆半導體專有的PowerTrench工藝技術
- 在緊湊 (1.6mm x 1.6mm) 和低側高 (0.55mm) MicroFET™ 薄型封裝中,集成了兩個分立器件
- 具有寬泛的擊穿電壓 (20V-1000V) 范圍
- 手機、醫(yī)療、便攜和消費應用設計的升壓轉換電路
FDFME3N311ZT提供30V的擊穿電壓,可為手機等應用驅動多達7個或8個白光LED(實際數字取決于所選擇的LED和設計保護帶)。白光LED通常用作手機等移動設備的顯示器的背光照明,一般以串聯(lián)方式連接,以確保每個LED具有相同的正向電流和亮度。以每個LED的正向電壓約為3-3.5V計算,使用這款升壓開關將有助于逐步提高現有的電池升壓輸出電壓(大多數情況下為單一鋰電池)。
這款升壓開關是飛兆半導體多元化的MOSFET產品系列的最新成員,該產品系列具有寬泛的擊穿電壓 (20V-1000V) 范圍和先進的封裝技術等特點,能夠解決現時設計所面對的各種復雜的功率和空間難題。