- 運(yùn)行頻率為920 至960 MHz,提供17.8 W 的平均RF功率輸出,效率高達(dá)42.5%
- 誤差矢量幅度的均方根值不超過2.1%
- 增強(qiáng)型的內(nèi)部阻抗匹配能使制造商更輕松地適應(yīng)印刷電路板的變化
- 基站收發(fā)器、GSM EDGE無線網(wǎng)絡(luò)
飛思卡爾副總裁兼RF部門總經(jīng)理Gavin Woods 表示:"隨著行業(yè)向第三和第四代無線業(yè)務(wù)不斷邁進(jìn),GSM無疑是部署最為廣泛的無線技術(shù)。飛思卡爾最新的RF功率晶體管的設(shè)計旨在通過提高基站收發(fā)器的效率,幫助全球的GSM運(yùn)營商提高來自每個用戶的平均收入。"
MRFE6S9046N(920 至 960 MHz)對于GSM EDGE的應(yīng)用,MRFE6S9046N 的運(yùn)行頻率為920 至960 MHz,提供17.8 W 的平均RF功率輸出,19 dB 的增益,效率高達(dá)42.5%,且誤差矢量幅度的均方根(RMS)值不超過2.1%。它內(nèi)置在飛思卡爾超模壓塑膠封裝中,該封裝是精確機(jī)械公差和成本效率的結(jié)合。此外,該封裝是表面安裝的,這使它能夠支持自動化的制造流程。而且,增強(qiáng)型的內(nèi)部阻抗匹配能使制造商更輕松地適應(yīng)印刷電路板的變化。內(nèi)部輸出匹配不僅在基本頻率上實現(xiàn)了用戶友好的終端阻抗,而且還包括賴以實現(xiàn)更高效率的第二和第三個諧波終端,以符合 F 級放大器的理論。
MRF8S9100H/HS(920 至 960 MHz) 與 MRF8S18120H/HS(1805 至 1880 MHz)這些 28 V 的器件專為 GSM 與 EDGE 系統(tǒng)中的 AB 級與 C 級的操作而設(shè)計。在 GSM EDGE 業(yè)務(wù)中,MRF8S9100H/HS 在 940 MHz 運(yùn)行時提供 45 W的平均功率,19.1 dB 的增益,44%的效率以及均方根(RMS)值為2.0%的誤差矢量幅度(EVM)。
在 GSM EDGE 業(yè)務(wù)中,MRF8S18120H/HS 在 1840 MHz 運(yùn)行時提供 46 W的平均功率,18.2 dB 的增益,42%的效率以及均方根(EVM)值為1.7%的誤差矢量幅度。MRF8S9100H/HS 與 MRF8S18120H/HS 內(nèi)置在結(jié)實的氣腔陶瓷封裝中。MRF8S9100H/HS 還能夠在 GSM 800 頻段中操作,而 MRF8S18120H/HS 支持在 GSM 1900 頻段中的操作。所有這三個器件都是內(nèi)部匹配的,以簡化電路設(shè)計,符合 RoHS規(guī)范,并且還包含內(nèi)部 ESD 保護(hù)電路。
定價和供貨情況
MRFE6S9046N 現(xiàn)已成批生產(chǎn),而且也可提供樣品。MRF8S9100H/HS 與 MRF8S18120H/HS 現(xiàn)在也處于樣品性能試驗階段,預(yù)計2009年7月全面投入生產(chǎn)。參考測試設(shè)備將與預(yù)期于2009年7月生產(chǎn)的大型信號模型一起提供。