你的位置:首頁 > 測試測量 > 正文

FDMS86101:飛兆新款100V MOSFET器件

發(fā)布時間:2009-05-14

產品特性:
  • 低達50% 的RDS(ON)
  • 出色的品質因數
  • 采用5mm x 6mm MLP Power56 封裝
  •  內置增強型軟體二極管,可減小開關噪聲
應用范圍:
  • 以太網、刀片服務器和電信應用等
飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 為隔離式DC-DC應用設計人員提供一款新型100V MOSFET器件FDMS86101,具有低達50% 的RDS(ON) 和出色的品質因數 (figure of merits, FOM),有效提高電源設計的效率。

FDMS86101是采用5mm x 6mm MLP Power56 封裝的100V MOSFET器件,使用了飛兆半導體先進的PowerTrench 工藝技術,能夠最大限度地減小導通阻抗,同時保持優(yōu)良的開關性能和穩(wěn)健性。相比柵級電荷相同的現有解決方案,這一專有工藝技術提供了業(yè)界最低的RDS (ON) (8 mΩ),使FDMS86101得以減小導通損耗,而不會受到較高柵級電荷的影響。以太網、刀片服務器和電信應用正逐漸從12V轉向48V電源,對于優(yōu)化開關效率的需求變得越來越重要。

PowerTrench MOSFET 內置增強型軟體 (soft-body) 二極管,可以減小開關噪聲并降低應用的EMI 敏感性。這項功能可以節(jié)省線路板空間和減少組件數目,而許多替代解決方案卻需要加入一個緩沖器網絡才能減小開關噪聲尖峰。

FDMS86101是飛兆半導體全面的PowerTrench MOSFET產品系列的一員,能夠滿足當今電子產品的電氣和熱性能要求,有助于實現更高的能效。飛兆半導體性能先進的PowerTrench MOSFET工藝技術能夠實現非常低的米勒電荷(QGD)、RDS(on) 和總柵極電荷 (QG),從而獲得出色的開關性能和熱效率。

單價 (訂購1000個): 1.55美元
供貨:現提供樣品
交貨期:8至10周
要采購開關么,點這里了解一下價格!
特別推薦
技術文章更多>>
技術白皮書下載更多>>
熱門搜索
?

關閉

?

關閉