【導(dǎo)讀】在電子工程領(lǐng)域，向更高工作電壓發(fā)展的趨勢(shì)是由各種應(yīng)用中對(duì)提高效率和功率密度的需求所推動(dòng)的。氮化鎵（GaN）技術(shù)正作為一種強(qiáng)大的解決方案來(lái)滿(mǎn)足這些需求。
在電子工程領(lǐng)域，向更高工作電壓發(fā)展的趨勢(shì)是由各種應(yīng)用中對(duì)提高效率和功率密度的需求所推動(dòng)的。氮化鎵（GaN）技術(shù)正作為一種強(qiáng)大的解決方案來(lái)滿(mǎn)足這些需求。
在工業(yè)環(huán)境中，內(nèi)部電壓軌也在向上發(fā)展。這些更高的電壓對(duì)于在電機(jī)驅(qū)動(dòng)、壓縮機(jī)和大型HVAC系統(tǒng)等應(yīng)用中提供更高功率至關(guān)重要。
新興經(jīng)濟(jì)體的消費(fèi)者和工業(yè)部門(mén)快速增長(zhǎng)，面臨電網(wǎng)不穩(wěn)定的挑戰(zhàn)。電壓波動(dòng)和線路膨脹（經(jīng)常由于老化基礎(chǔ)設(shè)施而加劇）對(duì)電子系統(tǒng)構(gòu)成了重大威脅。
硅器件在高壓環(huán)境中的挑戰(zhàn)
所有功率器件都有定義的操作限制。例如，725 V的硅MOSFET通常可以安全工作到650 V，并降額到725 V。長(zhǎng)期暴露在高于725 V的電壓下會(huì)導(dǎo)致雪崩擊穿，導(dǎo)致局部加熱和潛在的結(jié)構(gòu)損壞。電壓尖峰（如閃電襲擊或電源接線錯(cuò)誤）和電網(wǎng)不穩(wěn)定導(dǎo)致的線路膨脹可以將這些器件推向極限，導(dǎo)致災(zāi)難性故障。
PowiGaN技術(shù)在高壓應(yīng)用中的優(yōu)勢(shì)
相比之下，PowiGaN器件不表現(xiàn)出硅器件固有的雪崩擊穿機(jī)制。它們的內(nèi)部級(jí)聯(lián)結(jié)構(gòu)和高擊穿電壓（通常是額定電壓的兩倍以上）使它們能夠承受高電壓尖峰和長(zhǎng)期的線路膨脹。這些器件在電壓尖峰期間會(huì)暫時(shí)增加電阻，稍微降低效率，但能迅速恢復(fù)而不會(huì)對(duì)性能產(chǎn)生明顯影響。即使在多個(gè)尖峰事件或長(zhǎng)期膨脹下，PowiGaN器件仍能保持安全有效的操作而不會(huì)退化。
PowiGaN在未來(lái)高壓應(yīng)用中的作用
Power Integrations最近推出的1250 V PowiGaN器件標(biāo)志著一個(gè)重要的進(jìn)步。該器件允許1000 V的操作峰值并具有顯著的降額，提供了對(duì)電網(wǎng)不穩(wěn)定和電力干擾的強(qiáng)大保護(hù)。這些器件現(xiàn)在正在進(jìn)入傳統(tǒng)上由碳化硅（SiC）器件主導(dǎo)的領(lǐng)域，擴(kuò)大了它們的應(yīng)用范圍。
總之，在當(dāng)前市場(chǎng)中，PowiGaN技術(shù)在面對(duì)電網(wǎng)不穩(wěn)定時(shí)具有顯著優(yōu)勢(shì)。它確保在不斷擴(kuò)大的消費(fèi)市場(chǎng)中提供高質(zhì)量、可靠的產(chǎn)品。此外，PowiGaN的強(qiáng)大級(jí)聯(lián)結(jié)構(gòu)和更高電壓應(yīng)用的潛力使其成為未來(lái)電力電子領(lǐng)域的關(guān)鍵參與者。
文章來(lái)源：PI電源芯片
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