【導讀】在探討“SiC MOSFET:橋式結(jié)構(gòu)中Gate-Source電壓的動作”時,本文先對SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)和工作進行介紹,這也是這個主題的前提。
在探討“SiC MOSFET:橋式結(jié)構(gòu)中Gate-Source電壓的動作”時,本文先對SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)和工作進行介紹,這也是這個主題的前提。
SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)
下面給出的電路圖是在橋式結(jié)構(gòu)中使用SiC MOSFET時最簡單的同步式boost電路。該電路中使用的SiC MOSFET的高邊(HS)和低邊(LS)是交替導通的,為了防止HS和LS同時導通,設置了兩個SiC MOSFET均為OFF的死區(qū)時間。右下方的波形表示其門極信號(VG)時序。
該電路中HS和LS MOSFET的Drain-Source電壓(VDS)和漏極電流(ID)的波形示意圖如下。這是電感L的電流處于連續(xù)動作狀態(tài),即所謂的硬開關(guān)狀態(tài)的波形。
橫軸表示時間,時間范圍Tk(k=1~8)的定義如下:
T1: LS為ON時、MOSFET電流變化的時間段
T2: LS為ON時、MOSFET電壓變化的時間段
T3: LS為ON時的時間段
T4: LS為OFF時、MOSFET電壓變化的時間段
T5: LS為OFF時、MOSFET電流變化的時間段
T4~T6: HS變?yōu)镺N之前的死區(qū)時間
T7: HS為ON的時間段(同步整流時間段)
T8: HS為OFF時、LS變?yōu)镺N之前的死區(qū)時間
從下一篇文章開始,將以上述內(nèi)容為前提展開介紹。希望通過本文大致了解這種SiC MOSFET橋式電路的工作、以及電壓和電流的波形。
(來源:Rohm)
免責聲明:本文為轉(zhuǎn)載文章,轉(zhuǎn)載此文目的在于傳遞更多信息,版權(quán)歸原作者所有。本文所用視頻、圖片、文字如涉及作品版權(quán)問題,請電話或者郵箱editor@52solution.com聯(lián)系小編進行侵刪。
推薦閱讀:
如何才能更易于實施安全性?擴展工業(yè)控制系統(tǒng)中的安全終端!