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高壓雙向觸發(fā)器件SIDAC的特點(diǎn)及其應(yīng)用

發(fā)布時(shí)間:2021-11-09 來(lái)源:Leiditech 責(zé)任編輯:wenwei

【導(dǎo)讀】在電子鎮(zhèn)流器中廣泛采用的雙向觸發(fā)器件是DB3,其觸發(fā)開(kāi)通電壓在30V左右,觸發(fā)電流較小(mA級(jí)),導(dǎo)通后的殘余電壓在20V左右,這些特點(diǎn)決定了只能用于小電流的觸發(fā)電路中。這里介紹一種大電流的高壓雙向觸發(fā)器件SIDAC(SiliconDiode for Alternating Current),它比普通的DIAC(DB3系列)具有更大的功率容量,可提供較大的開(kāi)啟電流。


1特性


在電子鎮(zhèn)流器中廣泛采用的雙向觸發(fā)器件是DB3,其觸發(fā)開(kāi)通電壓在30V左右,觸發(fā)電流較小(mA級(jí)),導(dǎo)通后的殘余電壓在20V左右,這些特點(diǎn)決定了只能用于小電流的觸發(fā)電路中。這里介紹一種大電流的高壓雙向觸發(fā)器件SIDAC(SiliconDiode for Alternating Current),它比普通的DIAC(DB3系列)具有更大的功率容量,可提供較大的開(kāi)啟電流。


2 SIDAC的基本工作原理


SIDAC是基于晶閘管原理和結(jié)構(gòu)的一種兩端負(fù)阻器件。由于被觸發(fā)導(dǎo)通時(shí)兩端的壓降只有1.5V左右,因此這種器件的工作狀態(tài)類(lèi)似一個(gè)開(kāi)關(guān),故SIDAC又稱(chēng)為雙向觸發(fā)開(kāi)關(guān)。SIDAC的伏安特性見(jiàn)圖1。一旦加在SIDAC兩端的電壓超過(guò)其擊穿電壓UBO,便會(huì)通過(guò)一個(gè)負(fù)阻區(qū)立刻轉(zhuǎn)為導(dǎo)通狀態(tài)。低的導(dǎo)通壓降使其具有非常低的功率損耗,可在瞬間提供很大的電流。只有當(dāng)流過(guò)SIDAC的電流中斷,或者低于其維持電流IH時(shí),SIDAC才會(huì)自動(dòng)由導(dǎo)通狀態(tài)轉(zhuǎn)到截止?fàn)顟B(tài)。


19.png

圖1SIDAC的伏安特性曲線(xiàn)


●     圖中UBO-轉(zhuǎn)折電壓

●     IBO-轉(zhuǎn)折電流

●     UDRM-斷態(tài)重復(fù)峰值電壓

●     IDRM-斷態(tài)重復(fù)峰值電流

●     IH-維持電流

●     US-開(kāi)通電壓

●     IS-開(kāi)通電流

●     UT-通態(tài)電壓


SIDAC的電路符號(hào),見(jiàn)圖2。


20.png

圖2SIDAC電路符號(hào)


3 SIDAC的特點(diǎn)


(1)SIDAC的觸發(fā)電壓高,范圍寬,目前可做到90V~330V。


(2)SIDAC具有負(fù)阻特性,通態(tài)電壓UT非常低,只有1.5V左右,所以瞬間能通過(guò)較大的電流。


(3)SIDAC是一種無(wú)極性的雙向觸發(fā)器件,一個(gè)周期浪涌電流ITSM可達(dá)20A,通過(guò)電感使已充滿(mǎn)了電的電容放電,產(chǎn)生高能量的高壓脈沖。


(4)SIDAC一旦導(dǎo)通便處于自鎖狀態(tài),只有流過(guò)其本身的電流中斷或小于維持電流IH時(shí),才會(huì)關(guān)斷。


(5)響應(yīng)速度快(ns級(jí))。


(6)封裝形式靈活多樣??刹捎肈O-41,DO-201AD,TO-92,TO-220塑料樹(shù)脂封裝。既可單芯片封裝,也可多芯片封裝在一起。


(7)采用玻璃鈍化工藝,耐高溫特性好,可靠性高。


4典型應(yīng)用


SIDAC的應(yīng)用十分廣泛。目前已大量用于高能量的起輝(點(diǎn)火)電路、高壓發(fā)生器、過(guò)壓保護(hù)、振蕩器、代替晶閘管電路等方面。


(1)高壓發(fā)生器電路,見(jiàn)圖3。該電路可用于空調(diào)、電冰箱,作為電子殺菌、除臭用。


(2)低電壓輸入的電子起輝電路,見(jiàn)圖4。


21.png

圖3高壓發(fā)生器電路


22.png

圖4電子起輝電路


(3)高壓鹵素?zé)羝疠x電路,見(jiàn)圖5。


(4)晶閘管替代電路,見(jiàn)圖6。


(5)張弛振蕩器電路,見(jiàn)圖7。限流電阻R的選?。?/p>


23.png

圖5鹵素?zé)羝疠x電路


24.png

圖6晶閘管替代電路


25.png

(a)電路


26.png

(b)波形

圖7張弛振蕩電路


Rmax≤(Ui-UBO)/IBO

Rmin≥(Ui-UTM)/IH(min)


(6)晶體管保護(hù)電路,見(jiàn)圖8。當(dāng)用一個(gè)晶體管來(lái)斷開(kāi)一個(gè)感性負(fù)載時(shí),C-E結(jié)會(huì)出現(xiàn)瞬時(shí)過(guò)壓現(xiàn)象,SIDAC可用來(lái)保護(hù)晶體管的安全。


27.png

(a)電路


28.png

(b)波形

圖8晶體管保護(hù)電路


注:(1)調(diào)整輸入脈沖寬度tW,使IC=0.63A



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