你的位置:首頁 > 電路保護(hù) > 正文

SiC功率器件篇之SiC SBD

發(fā)布時(shí)間:2021-05-20 責(zé)任編輯:lina

【導(dǎo)讀】SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD(肖特基勢(shì)壘二極管)結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管(Si的SBD最高耐壓為200V左右)。

1.器件結(jié)構(gòu)和特征
 
SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD(肖特基勢(shì)壘二極管)結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管(Si的SBD最高耐壓為200V左右)。
 
因此,如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產(chǎn)品快速PN結(jié)二極管(FRD:快速恢復(fù)二極管),能夠明顯減少恢復(fù)損耗。
 
有利于電源的高效率化,并且通過高頻驅(qū)動(dòng)實(shí)現(xiàn)電感等無源器件的小型化,而且可以降噪。廣泛應(yīng)用于空調(diào)、電源、光伏發(fā)電系統(tǒng)中的功率調(diào)節(jié)器、電動(dòng)汽車的快速充電器等的功率因數(shù)校正電路(PFC電路)和整流橋電路中。
 
SiC功率器件篇之SiC SBD
 
2. SiC-SBD的正向特性
 
SiC-SBD的開啟電壓與Si-FRD相同,小于1V。
 
開啟電壓由肖特基勢(shì)壘的勢(shì)壘高度決定,通常如果將勢(shì)壘高度設(shè)計(jì)得低,開啟電壓也可以做得低一些,但是這也將導(dǎo)致反向偏壓時(shí)的漏電流增大。
 
ROHM的第二代SBD通過改進(jìn)制造工藝,成功地使漏電流和恢復(fù)性能保持與舊產(chǎn)品相等,而開啟電壓降低了約0.15V。
 
SiC-SBD的溫度依存性與Si-FRD不同,溫度越高,它的導(dǎo)通阻抗就會(huì)增加,從而VF值也增加。
 
不易發(fā)生熱失控,所以可以放心地并聯(lián)使用。
 
SiC功率器件篇之SiC SBD
 
3. SiC-SBD的恢復(fù)特性
 
Si的快速PN結(jié)二極管(FRD:快速恢復(fù)二極管)在從正向切換到反向的瞬間會(huì)產(chǎn)生極大的瞬態(tài)電流,在此期間轉(zhuǎn)移為反向偏壓狀態(tài),從而產(chǎn)生很大的損耗。
 
這是因?yàn)檎蛲姇r(shí)積聚在漂移層內(nèi)的少數(shù)載流子不斷地進(jìn)行電傳導(dǎo)直到消亡(該時(shí)間也稱為積聚時(shí)間)。
 
正向電流越大,或者溫度越高,恢復(fù)時(shí)間和恢復(fù)電流就越大,從而損耗也越大。
 
與此相反,SiC-SBD是不使用少數(shù)載流子進(jìn)行電傳導(dǎo)的多數(shù)載流子器件(單極性器件),因此原理上不會(huì)發(fā)生少數(shù)載流子積聚的現(xiàn)象。由于只產(chǎn)生使結(jié)電容放電程度的小電流,所以與Si-FRD相比,能夠明顯地減少損耗。
 
而且,該瞬態(tài)電流基本上不隨溫度和正向電流而變化,所以不管何種環(huán)境下,都能夠穩(wěn)定地實(shí)現(xiàn)快速恢復(fù)。
 
另外,還可以降低由恢復(fù)電流引起的噪音,達(dá)到降噪的效果。
 
SiC功率器件篇之SiC SBD
 
 
免責(zé)聲明:本文為轉(zhuǎn)載文章,轉(zhuǎn)載此文目的在于傳遞更多信息,版權(quán)歸原作者所有。本文所用視頻、圖片、文字如涉及作品版權(quán)問題,請(qǐng)電話或者郵箱聯(lián)系小編進(jìn)行侵刪。
 
 
推薦閱讀:
鋰電池充電電路設(shè)計(jì)
新一代內(nèi)存DDR5帶來了哪些改變?
電感選型殺手锏——電感電流與電感量
如何使用有源米勒鉗位電路來減輕寄生效應(yīng)
巧用采樣和保持電路,確保ADC精度
特別推薦
技術(shù)文章更多>>
技術(shù)白皮書下載更多>>
熱門搜索
?

關(guān)閉

?

關(guān)閉