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具有最低電阻和低總閘極電荷的PowerTrench MOSFET

發(fā)布時(shí)間:2012-12-29 責(zé)任編輯:easonxu

【導(dǎo)讀】快捷半導(dǎo)體公司的40VN信道PowerTrench MOSFET產(chǎn)品,具有最低電阻和低總閘極電荷以降低功率損耗。

汽車(chē)動(dòng)力操控(Power Steering)系統(tǒng)設(shè)計(jì)工程師需要可提供更高效率和更好功率控制的解決方案??旖莅雽?dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)的40VN信道PowerTrench MOSFET產(chǎn)品,具有最低電阻和低總閘極電荷以降低功率損耗,可協(xié)助設(shè)計(jì)者因應(yīng)這些挑戰(zhàn)。

FDB9403 采用快捷半導(dǎo)體的屏蔽閘極技術(shù),改進(jìn)了電阻并降低了電容器。該組件提供比最接近競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品低20%的RDS(ON)值,同時(shí)具備低Qg值,可降低功率損耗并最終提高整體效率。FDB9403 MOSFET產(chǎn)品作為基本的電流控制開(kāi)關(guān),有效控制電力,無(wú)任何浪費(fèi),因此非常適合于電力操控系統(tǒng)、懸架控制及動(dòng)力傳動(dòng)管理應(yīng)用。

在VGS = 10V和ID = 80A時(shí),更低功率損耗的典型值RDS(ON)= 1mΩ,因而實(shí)現(xiàn)更高效率;在VGS = 10V和ID = 80A時(shí),典型值Qg(tot) = 164nC,功耗更低,因而實(shí)現(xiàn)更高效率;UIS能力;以及符合RoHS及AEC Q101標(biāo)準(zhǔn)。

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