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什么樣的PCB才能承受住100 A的電流？
通常的PCB設計電流都不會超過10 A，甚至5 A。尤其是在家用、消費級電子中，通常PCB上持續(xù)的工作電流不會超過2 A。但是最近要給公司的產(chǎn)品設計動力走線，持續(xù)電流能達到80 A左右，考慮瞬時電流以及為整個系統(tǒng)留下余量，動力走線的持續(xù)電流應該能夠承受100 A以上。
2021-08-25
PCB 電流
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聊聊汽車級光伏驅動器和分立MOSFET
工程師已經(jīng)研究和開發(fā)了可以代替機械繼電器的固態(tài)繼電器設備。與機械繼電器相比，這些固態(tài)繼電器具有更高的可靠性，更快的切換時間，沒有切換彈跳以及更小的尺寸。但是隨著這些優(yōu)點的出現(xiàn)，帶來了使設計人員和用戶不愿使用固態(tài)繼電器的缺點。
2021-08-25
汽車級光伏驅動器 分立MOSFET
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康普觀點：體育場館穩(wěn)步恢復，5G賦能更佳觀賽體驗
隨著全球大部分地區(qū)的封鎖限制日漸放寬，人們的日常生活也在逐步地回歸往昔。疫情影響下，許多大型集會被迫暫停，其中最令人懷念的就是在現(xiàn)場觀看緊張刺激的體育比賽。現(xiàn)下，多地的賽事組織者和協(xié)會正籌劃重啟大型體育賽事，屆時將會吸引到大量觀眾的參與。在觀看包括奧運會、足球等賽事時，越來越...
2021-08-24
康普 5G 觀賽體驗
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微結構不均勻性（負載效應）及其對器件性能的影響：對先進DRAM工藝中有源區(qū)形狀扭曲的研究
在DRAM結構中，電容存儲單元的充放電過程直接受晶體管所控制。隨著晶體管尺寸縮小接近物理極限，制造變量和微負載效應正逐漸成為限制DRAM性能（和良率）的主要因素。而對于先進的DRAM，晶體管的有源區(qū) (AA) 尺寸和形狀則是影響良率和性能的重要因素。
2021-08-23
負載效應 DRAM
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如何理解FIT和MTBF
在我們的日常工作中，經(jīng)常會碰到器件失效或系統(tǒng)故障，這時為了清楚界定失效事件的嚴重性，就需要定量的來描述具體的失效率，這就需要用專業(yè)的術語來溝通，而有的工程師喜歡談FIT，有的工程師喜歡談MTBF，其實這兩個概念所描述的主體是不一樣的，因此有必要在此簡析一下。
2021-08-20
FIT MTBF
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康普觀點：構建合適的 Wi-Fi 6 基礎設施至關重要
數(shù)字化一直是推動著后疫情時期許多機構反彈回升的關鍵使能因素，在推動復蘇的進程中，最具變革性的可能要屬互聯(lián)設備的指數(shù)級采用。亞太地區(qū)在此趨勢中居于領先，據(jù)行業(yè)報告預測，到 2026 年，區(qū)域物聯(lián)網(wǎng)（IoT）市場將呈指數(shù)級增長，達到 4,370 億美元。然而，當前的 Wi-Fi 連接標準可能無法提供足夠...
2021-08-19
康普 Wi-Fi 6 基礎設施
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IOTE 2021第十六屆國際物聯(lián)網(wǎng)—深圳站
IOTE 2021第十六屆國際物聯(lián)網(wǎng)展·深圳站，是一個關于物聯(lián)網(wǎng)完整產(chǎn)業(yè)鏈，覆蓋物聯(lián)網(wǎng)感知層、網(wǎng)絡層、運算與平臺層、應用層，涉及RFID（無線射頻識別）技術、傳感網(wǎng)技術、物聯(lián)網(wǎng)通信技術、金融消費移動支付技術、中間件的精確控制技術、大數(shù)據(jù)處理、AIoT、云計算、邊緣計算、實時定位技術等物聯(lián)網(wǎng)技術...
2021-08-17
國際物聯(lián)網(wǎng) 智能家居 智能電網(wǎng) AIoT
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大功率晶閘管參數(shù)解析之正向特性
功率二極管晶閘管廣泛應用于AC/DC變換器、UPS、交流靜態(tài)開關、SVC和電解氫等場合，但大多數(shù)工程師對這類雙極性器件的了解不及對IGBT的了解，為此我們組織了6篇連載，包括正向特性，動態(tài)特性，控制特性，保護以及損耗與熱特性。
2021-08-16
大功率晶閘管 正向特性
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功率因素校正電路PFC電感旁路二極管的作用
本文總結了功率因素校正電路PFC電感加旁路二極管作用的幾種不同解釋：減少主二極管的浪涌電流；提高系統(tǒng)抗雷擊的能力；減少開機瞬間系統(tǒng)的峰值電流，防止電感飽和損壞功率MOSFET。
2021-08-13
電路PFC電感 旁路二極管
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