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英飛凌推出CoolSiC肖特基二極管2000 V 效率更高,設計更簡單

發(fā)布時間:2024-10-28 來源:投稿 責任編輯:admin

【2024年10月23日, 德國慕尼黑訊】如今,許多工業(yè)應用可以通過提高直流母線電壓,在力求功率損耗最低的同時,向更高的功率水平過渡。為滿足這一需求,全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)推出CoolSiC肖特基二極管2000 V G5,這是市面上首款擊穿電壓達到2000 V的分立碳化硅二極管。該產(chǎn)品系列適用于直流鏈路電壓高達1500 VDC的應用,額定電流為10 A至80 A,是光伏、電動汽車充電等高直流母線電壓應用的完美選擇。

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(采用TO247-4封裝的CoolSiC 肖特基二極管2000 V G5)

該產(chǎn)品系列采用TO-247PLUS-4-HCC封裝,爬電距離為14 mm,間隙距離為5.4 mm,再加上高達80 A的額定電流,顯著提升了功率密度。它使開發(fā)人員能夠在應用中實現(xiàn)更高的功率水平,而元件數(shù)量僅為 1200 V SiC解決方案的一半。這簡化了整體設計,實現(xiàn)了從多電平拓撲結構到2電平拓撲結構的平穩(wěn)過渡。

此外,CoolSiC肖特基二極管2000V G5采用.XT互連技術,大大降低熱阻和阻抗,實現(xiàn)了更好的熱管理。此外,HV-H3TRB可靠性測試也證明了該二極管對濕度的耐受性。該二極管沒有反向或正向恢復電流,且具有正向低電壓的特點,確保系統(tǒng)性能更優(yōu)。

2000 V二極管系列與英飛凌2024年春季推出的TO-247Plus-4 HCC封裝的CoolSiC MOSFET 2000 V完美適配。CoolSiC二極管2000 V產(chǎn)品組合將通過提供TO-247-2封裝而得到擴展,該封裝將于2024年12月推出。此外,英飛凌還提供了與CoolSiC MOSFET 2000 V匹配的柵極驅動器產(chǎn)品組合。

供貨情況

采用TO-247PLUS-4 HCC封裝的CoolSiC肖特基二極管2000 V G5系列及其評估板現(xiàn)已上市。

關于英飛凌

英飛凌科技股份公司是全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領域的半導體領導者。英飛凌以其產(chǎn)品和解決方案推動低碳化和數(shù)字化進程。該公司在全球擁有約58,600名員工,在2023財年(截至9月30日)的營收約為163億歐元。英飛凌在法蘭克福證券交易所上市(股票代碼:IFX),在美國的OTCQX國際場外交易市場上市(股票代碼:IFNNY)。

英飛凌中國

英飛凌科技股份公司于1995年正式進入中國大陸市場。自1995年10月在無錫建立第一家企業(yè)以來,英飛凌的業(yè)務取得非常迅速的增長,在中國擁有約3,000多名員工,已經(jīng)成為英飛凌全球業(yè)務發(fā)展的重要推動力。英飛凌在中國建立了涵蓋生產(chǎn)、銷售、市場、技術支持等在內(nèi)的完整的產(chǎn)業(yè)鏈,并在銷售、技術應用支持、人才培養(yǎng)等方面與國內(nèi)領先的企業(yè)、高等院校開展了深入的合作。

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