你的位置:首頁(yè) > 互連技術(shù) > 正文

運(yùn)用雙MOSFET避免SEU的影響

發(fā)布時(shí)間:2024-06-08 責(zé)任編輯:lina

【導(dǎo)讀】很久很久以前,在一個(gè)遙遠(yuǎn)的星系中,有某個(gè)東西突然間爆炸了。其造成的結(jié)果是亞原子物質(zhì)的爆發(fā),而其中的一些物質(zhì)最終在我們這里找到了出路。


很久很久以前,在一個(gè)遙遠(yuǎn)的星系中,有某個(gè)東西突然間爆炸了。其造成的結(jié)果是亞原子物質(zhì)的爆發(fā),而其中的一些物質(zhì)最終在我們這里找到了出路。


這種情況經(jīng)常重復(fù)出現(xiàn),而且仍有更多的亞原子物質(zhì)正朝著這個(gè)方向發(fā)展。當(dāng)它們到達(dá)時(shí),它們會(huì)非常地分散,以至于可以單獨(dú)地檢測(cè)到在它們之中的任何一個(gè)。遺憾的是,進(jìn)行這種檢測(cè)的對(duì)象是您巧妙設(shè)計(jì)到產(chǎn)品中的半導(dǎo)體時(shí),造成的結(jié)果被稱為“單粒子翻轉(zhuǎn)”(single event upset,SEU),在某些情況下,它可能造成相當(dāng)大的破壞。如果您的產(chǎn)品處于地球軌道或在太空中的其他地方快速移動(dòng),這一點(diǎn)尤其值得關(guān)注。


以使用MOSFET的推挽式逆變器為例。如果“off”側(cè)MOSFET在本不應(yīng)該開啟的時(shí)候被錯(cuò)誤地開啟,其結(jié)果可能會(huì)導(dǎo)致驅(qū)動(dòng)軌電壓對(duì)接地近乎短路。類似這樣的事件可能是災(zāi)難性的。


這張草圖顯示的就是這樣的一種逆變器,但它具有保護(hù)功能,能夠避免因單粒子翻轉(zhuǎn)而造成的災(zāi)難。


運(yùn)用雙MOSFET避免SEU的影響

圖1:每個(gè)標(biāo)示的“X”表示MOSFET正經(jīng)歷一次單粒子翻轉(zhuǎn)。


無(wú)論哪一個(gè)MOSFET因單粒子翻轉(zhuǎn)而導(dǎo)通,其余三個(gè)開關(guān)位置都將保持開關(guān)狀態(tài),直到受到?jīng)_擊的MOSFET開關(guān)位置恢復(fù)正常。


在此電路中,單粒子翻轉(zhuǎn)將會(huì)暫時(shí)干擾變壓器驅(qū)動(dòng)平衡,但并不至于對(duì)+Vcc軌造成潛在的災(zāi)難性下拉,因?yàn)槭苡绊懙腗OSFET的配套MOSFET可以維持預(yù)期的開關(guān)狀態(tài)。

文章來(lái)源:EDN電子技術(shù)設(shè)計(jì)

 

免責(zé)聲明:本文為轉(zhuǎn)載文章,轉(zhuǎn)載此文目的在于傳遞更多信息,版權(quán)歸原作者所有。本文所用視頻、圖片、文字如涉及作品版權(quán)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系小編進(jìn)行處理。


推薦閱讀:

“固本強(qiáng)基”成效顯著,元器件、設(shè)備企業(yè)積極報(bào)名第104屆中國(guó)電子展

紅頭文件!關(guān)于邀請(qǐng)參加第十二屆中國(guó)(西部)電子信息博覽會(huì)的通知

跨電感電壓調(diào)節(jié)器的多相設(shè)計(jì)、決策和權(quán)衡

實(shí)戰(zhàn)分享:腫瘤電場(chǎng)治療硬件設(shè)計(jì)方案

吉利汽車與意法半導(dǎo)體簽署碳化硅長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議,深化新能源汽車轉(zhuǎn)型,推動(dòng)雙方創(chuàng)新合作


特別推薦
技術(shù)文章更多>>
技術(shù)白皮書下載更多>>
熱門搜索
?

關(guān)閉

?

關(guān)閉