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RS瑞森半導(dǎo)體超高壓MOSFET 900V-1500V填補(bǔ)國(guó)內(nèi)市場(chǎng)空白

發(fā)布時(shí)間:2022-11-21 來(lái)源:RS瑞森半導(dǎo)體 責(zé)任編輯:lina

【導(dǎo)讀】現(xiàn)階段半導(dǎo)體市場(chǎng),900V-1500V的超高壓MOSFET幾乎被進(jìn)口品牌壟斷,并存在價(jià)格高、交付周期長(zhǎng)等問(wèn)題,為填補(bǔ)國(guó)內(nèi)該項(xiàng)系列產(chǎn)品的市場(chǎng)空白,瑞森半導(dǎo)體采用新型的橫向變摻雜技術(shù),利用特殊的耐壓環(huán)和晶胞設(shè)計(jì),研發(fā)出電壓更高、導(dǎo)通內(nèi)阻更低的超高壓系列MOS管,打破了進(jìn)口品牌壟斷的局面 。


一、破局進(jìn)口品牌壟斷

現(xiàn)階段半導(dǎo)體市場(chǎng),900V-1500V的超高壓MOSFET幾乎被進(jìn)口品牌壟斷,并存在價(jià)格高、交付周期長(zhǎng)等問(wèn)題,為填補(bǔ)國(guó)內(nèi)該項(xiàng)系列產(chǎn)品的市場(chǎng)空白,瑞森半導(dǎo)體采用新型的橫向變摻雜技術(shù),利用特殊的耐壓環(huán)和晶胞設(shè)計(jì),研發(fā)出電壓更高、導(dǎo)通內(nèi)阻更低的超高壓系列MOS管,打破了進(jìn)口品牌壟斷的局面 。


RS瑞森半導(dǎo)體超高壓MOSFET 900V-1500V填補(bǔ)國(guó)內(nèi)市場(chǎng)空白


二、產(chǎn)品應(yīng)用及特點(diǎn)

超高壓的器件主要應(yīng)用場(chǎng)景為音響電源、變頻器電源、逆變器、DC-DC轉(zhuǎn)換、工業(yè)三相智能電表、LED照明驅(qū)動(dòng)等輔助電源。


RS瑞森半導(dǎo)體超高壓MOSFET 900V-1500V填補(bǔ)國(guó)內(nèi)市場(chǎng)空白


產(chǎn)品特點(diǎn):

1.新型的橫向變摻雜技術(shù)、超高電壓,超小內(nèi)阻;

2.散熱性能好,高溫漏電小,高溫電壓跌落?。?/p>

3.開(kāi)關(guān)速度較低,具有更好的EMI兼容性;

4.產(chǎn)品性能高,可實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)替代進(jìn)口。


三、產(chǎn)品型號(hào)匹配應(yīng)用


瑞森半導(dǎo)體超高壓MOSFET-RS9N90F產(chǎn)品匹配:

可替代國(guó)外品牌多個(gè)產(chǎn)品型號(hào),如:意法STF9NK90Z, ON安森美FQPF9N90C。

超高壓MOSFET-RS9N90F漏源擊穿電壓高達(dá)900V,漏極電流最大值為9A,適用于LED照明驅(qū)動(dòng)電源、變頻器電源、音響電源等。


RS9N90F的開(kāi)啟延遲典型值為50nS,關(guān)斷延遲時(shí)間典型值為86nS,上升時(shí)間65nS,下降時(shí)間34nS,反向傳輸電容4pF,反向恢復(fù)時(shí)間550nS,正向電壓的最大值為1V。其導(dǎo)通阻抗典型值為1.2Ω,最大功耗為68W,最大結(jié)溫為150℃。此產(chǎn)品的儲(chǔ)存溫度在-55℃到150℃,可適用于大部分環(huán)境。


瑞森半導(dǎo)體超高壓MOSFET-RS3N150F產(chǎn)品匹配:

N溝道MOSFET--RS3N150F漏源擊穿電壓高達(dá)1500V,漏極電流最大值為3A,適用于逆變器、工業(yè)三相智能電表、DC-DC轉(zhuǎn)換等,可以替代3N150等型號(hào)參數(shù)的場(chǎng)效應(yīng)管。例如,在工業(yè)三相智能電表上主要運(yùn)用AC 380V變頻器反激式輔助電源其特點(diǎn):

該MOS管VDS電壓1500V,在550V電壓上需留有1.5-2.5倍的余量,以2.5倍最高耐壓余量計(jì)算就是需要耐壓1375V,故需要應(yīng)用到1500V耐壓的MOS管,而RS3N150F耐壓VDS電壓為1500V滿足應(yīng)用需求;


其導(dǎo)通電阻為典型值5.5Ω,可降低導(dǎo)通損耗,降低輸入電源功耗;續(xù)漏極電流在25℃時(shí)最大額定值為3A,一般輔助電源功率在10幾V,電流余量可滿足功率需求,同時(shí)最大結(jié)溫為150℃,存儲(chǔ)溫度范圍均為-55℃到150℃,符合工業(yè)級(jí)溫度范圍,可完全適用于工業(yè)市場(chǎng)。


四、典型應(yīng)用拓?fù)鋱D


RS瑞森半導(dǎo)體超高壓MOSFET 900V-1500V填補(bǔ)國(guó)內(nèi)市場(chǎng)空白


五、瑞森半導(dǎo)體產(chǎn)品推薦

RS3N150F的VDS電壓是1500V,完全適合母線電壓高達(dá)800V的使用場(chǎng)景,并留有足夠的防擊穿余量,同時(shí)瑞森半導(dǎo)體還推薦如下產(chǎn)品選型:


RS瑞森半導(dǎo)體超高壓MOSFET 900V-1500V填補(bǔ)國(guó)內(nèi)市場(chǎng)空白


(來(lái)源:RS瑞森半導(dǎo)體)


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