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非互補(bǔ)有源鉗位可實(shí)現(xiàn)超高功率密度反激式電源設(shè)計(jì)

發(fā)布時(shí)間:2022-02-23 來源:Roland Saint Pierre 責(zé)任編輯:lina

【導(dǎo)讀】離線反激式電源在變壓器初級(jí)側(cè)需要有鉗位電路(有時(shí)稱為緩沖器),以在正常工作期間功率MOSFET開關(guān)關(guān)斷時(shí)限制其兩端的漏源極電壓應(yīng)力。設(shè)計(jì)鉗位電路時(shí)可以采用不同的方法。


離線反激式電源在變壓器初級(jí)側(cè)需要有鉗位電路(有時(shí)稱為緩沖器),以在正常工作期間功率MOSFET開關(guān)關(guān)斷時(shí)限制其兩端的漏源極電壓應(yīng)力。設(shè)計(jì)鉗位電路時(shí)可以采用不同的方法。低成本的無源網(wǎng)絡(luò)可以有效地實(shí)現(xiàn)電壓鉗位,但在每個(gè)開關(guān)周期必須耗散鉗位能量,這會(huì)降低效率。一種改進(jìn)的方法就是對鉗位和功率開關(guān)采用互補(bǔ)驅(qū)動(dòng)的有源鉗位技術(shù),使得能效得以提高,但它們會(huì)對電源的工作模式帶來限制(例如,無法工作于CCM工作模式)。為了克服互補(bǔ)有源鉗位電路所帶來的設(shè)計(jì)限制,可以采用另外一種更先進(jìn)的控制技術(shù),即非互補(bǔ)有源鉗位。該技術(shù)可確保以更具成本效益的方式使用鉗位能量。


本文將簡要介紹反激式電源中對初級(jí)鉗位電路的需求。然后比較和對比無源鉗位方案、互補(bǔ)有源鉗位方案以及非互補(bǔ)有源鉗位方案的使用,最后介紹一款支持非互補(bǔ)鉗位方案且可實(shí)現(xiàn)超高功率密度反激電源設(shè)計(jì)的芯片組。


在反激式變換器中,當(dāng)初級(jí)側(cè)開關(guān)關(guān)斷時(shí),電壓(VOR)由次級(jí)側(cè)反射至初級(jí)側(cè),存儲(chǔ)的能量通過變壓器傳輸?shù)截?fù)載(圖1)。VOR經(jīng)變壓器圈數(shù)比加以放大,疊加在VDC輸入母線電壓后會(huì)增大開關(guān)器件兩端的電壓應(yīng)力。在傳統(tǒng)電路中,會(huì)使用無源初級(jí)鉗位電路來對這個(gè)電壓加以限制。


非互補(bǔ)有源鉗位可實(shí)現(xiàn)超高功率密度反激式電源設(shè)計(jì)

圖1:無源初級(jí)鉗位RCD解決方案(高亮顯示部分)需要耗散大量的熱量,限制了反激式電源的效率和工作頻率


除了電壓應(yīng)力(VIN + VOR)外,在初級(jí)開關(guān)管關(guān)斷時(shí)還會(huì)產(chǎn)生很大的電壓過沖,這是由初級(jí)繞組漏感中存儲(chǔ)的能量造成的。鉗位電路可對由此三個(gè)方面因素構(gòu)成的電壓過沖進(jìn)行限制以保護(hù)初級(jí)開關(guān)(圖2)。此外,在這種電路配置下,功率開關(guān)在漏極電壓較高時(shí)開通。開關(guān)損耗與VDS2成正比,因此高VDS會(huì)增加開關(guān)的開通損耗,從而進(jìn)一步降低效率。


非互補(bǔ)有源鉗位可實(shí)現(xiàn)超高功率密度反激式電源設(shè)計(jì)

圖2:開通損耗和鉗位損耗都與開關(guān)頻率有關(guān)。


鉗位電容吸收漏感能量,但該能量隨后被鉗位電阻所消耗。在每個(gè)開關(guān)周期中都會(huì)有能量損失,這樣在現(xiàn)實(shí)當(dāng)中就限制了開關(guān)頻率的提高。而較低的開關(guān)頻率,則需要使用更大的變壓器。因此,使用無源鉗位會(huì)增加損耗并不得不使用較低的開關(guān)頻率,這兩種情況都會(huì)增大電源尺寸。而使用有源鉗位則可以突破這些限制。


互補(bǔ)有源鉗位


有源鉗位用一個(gè)開關(guān)代替RCD鉗位中的電阻,這個(gè)開關(guān)通常是一個(gè)功率MOSFET(圖3)。它不是用來耗散漏感能量,而是可以將漏感能量回傳至變壓器。在互補(bǔ)有源鉗位中,當(dāng)主MOSFET關(guān)斷時(shí),鉗位開關(guān)開通,兩者之間具有一小段死區(qū)時(shí)間。此時(shí)鉗位電容被充電。而在下一次主MOSFET開通之前,鉗位開關(guān)關(guān)斷,鉗位電容中的能量得以再循環(huán)至輸出端。這種有源鉗位被稱為互補(bǔ)驅(qū)動(dòng)方案,因?yàn)橹鱉OSFET和有源鉗位開關(guān)以互補(bǔ)方式工作。


非互補(bǔ)有源鉗位可實(shí)現(xiàn)超高功率密度反激式電源設(shè)計(jì)

圖3:典型[互補(bǔ)]有源鉗位方案的簡化原理圖


零電壓開關(guān)可以使用復(fù)雜的自適應(yīng)控制技術(shù)來實(shí)現(xiàn),以實(shí)現(xiàn)漏感和鉗位電容之間的諧振。當(dāng)鉗位開關(guān)關(guān)斷時(shí),漏感與鉗位電容諧振產(chǎn)生的負(fù)向電流,在功率MOSFET開通之前對其COSS兩端的電壓進(jìn)行放電,從而實(shí)現(xiàn)零電壓開關(guān)。對于輸出電容比較高的設(shè)計(jì),將會(huì)導(dǎo)致諧振效果變差(輸出電容會(huì)經(jīng)過變壓器反射至初級(jí),進(jìn)而增加鉗位電容的容量)。通常變壓器當(dāng)中將會(huì)沒有足夠的漏感儲(chǔ)能來適應(yīng)這種鉗位容量的變化。為了克服這個(gè)問題,電源輸出端往往需要使用兩級(jí)LC濾波器來確保低的初級(jí)反射電容,同時(shí)還要滿足輸出紋波要求。這種互補(bǔ)有源鉗位方案是對無源鉗位的改進(jìn),但仍存在以下限制:


1.需要在輕載下使用脈沖串模式,這會(huì)導(dǎo)致更高的輸出紋波

2.兩級(jí)輸出濾波器

3.僅限于臨界導(dǎo)通模式或非連續(xù)導(dǎo)通模式(CrM和DCM);沒有CCM工作模式,使輸出電壓范圍寬的USB PD設(shè)計(jì)難以實(shí)現(xiàn)


使用非互補(bǔ)有源鉗位提高性能


采用非互補(bǔ)控制方案,不是在主MOSFET關(guān)斷后的一小段時(shí)間后立即開通鉗位開關(guān),而是在主MOSFET開通之前短暫開通鉗位開關(guān)。非互補(bǔ)控制能夠在連續(xù)導(dǎo)通模式以及非連續(xù)導(dǎo)通模式(和CrM)下操作,并且仍可實(shí)現(xiàn)零電壓開關(guān)。這使得設(shè)計(jì)出的電源具有非常寬的輸入電壓范圍和較寬的輸出電壓范圍,后者是設(shè)計(jì)高效USB PD充電器所需要的。對于傳統(tǒng)的控制方案,非互補(bǔ)鉗位開關(guān)的驅(qū)動(dòng)信號(hào)與初級(jí)開關(guān)以及同步整流開關(guān)的同步設(shè)計(jì)面臨著挑戰(zhàn)。而采用單個(gè)控制器來管理所有三個(gè)器件的開關(guān)操作,可大大簡化電路并確??煽坎僮鳌?/p>


非互補(bǔ)有源鉗位可實(shí)現(xiàn)超高功率密度反激式電源設(shè)計(jì)

圖4:對于非互補(bǔ)模式開關(guān),有源鉗位開關(guān)僅在主開關(guān)開通之前開關(guān)一次


非互補(bǔ)有源鉗位控制可以使用Power Integrations的Innoswitch?4-CZ/ClampZero?芯片組加以實(shí)現(xiàn)(圖5)。InnoSwitch4-CZ器件采用InSOP?-24D封裝,內(nèi)部集成了可靠耐用的PowiGaN? 750V開關(guān)以及用于控制主開關(guān)、鉗位開關(guān)和同步MOSFET操作的次級(jí)控制器,同時(shí)內(nèi)部含有滿足安全標(biāo)準(zhǔn)的FluxLink?控制鏈路。InnoSwitch4-CZ IC包括兩個(gè)專門用于ClampZero有源鉗位非互補(bǔ)控制的引腳:用于開通和關(guān)斷ClampZero開關(guān)的上管驅(qū)動(dòng)(HSD)引腳,以及用于測量直流母線電壓的V引腳。


非互補(bǔ)有源鉗位可實(shí)現(xiàn)超高功率密度反激式電源設(shè)計(jì)

圖5:InnoSwitch4-CZ的HSD信號(hào)用于控制ClampZero有源鉗位的開關(guān),

V引腳用于檢測高輸入電壓條件,進(jìn)而使能非連續(xù)工作模式


次級(jí)側(cè)控制器發(fā)出指令,啟動(dòng)HSD信號(hào),將ClampZero PowiGaN開關(guān)開通,以便在初級(jí)PowiGaN開關(guān)換向前使漏感和鉗位電容產(chǎn)生諧振。ClampZero器件的關(guān)閉和主開關(guān)的開通之間存在非常小的延遲,可以利用HSD引腳上的小電阻從外部進(jìn)行調(diào)整,以幫助優(yōu)化時(shí)序。


在連續(xù)導(dǎo)通模式下,HSD信號(hào)在漏感與鉗位電容諧振周期的四分之一時(shí)間內(nèi)保持開通。在很寬的工作范圍內(nèi)使用這種諧振模式所面臨的一個(gè)挑戰(zhàn)是,漏感通常是一個(gè)非常小的數(shù)值,在高壓輸入條件下主開關(guān)管兩端的電壓較高,這就需要更多的能量實(shí)現(xiàn)零電壓開關(guān)。因而漏感的儲(chǔ)能往往不夠。這也是為何此時(shí)非連續(xù)導(dǎo)通控制模式需要介入的原因。


對于非連續(xù)導(dǎo)通模式(高輸入電壓工作),HSD信號(hào)脈沖寬度變?yōu)閯?lì)磁電感(加上漏感,盡管漏感與勵(lì)磁電感相比分量通常非常?。┖豌Q位電容產(chǎn)生諧振的諧振周期的四分之一時(shí)間。V引腳的輸入電壓信息用于控制非連續(xù)導(dǎo)通模式的啟動(dòng)。當(dāng)檢測到高輸入電壓條件時(shí),ClampZero關(guān)斷驅(qū)動(dòng)信號(hào)和主開關(guān)開通驅(qū)動(dòng)信號(hào)之間的延遲也會(huì)增加。這為勵(lì)磁電感(加上漏感)與鉗位電容之間的諧振提供了更多時(shí)間,以降低主功率開關(guān)上的電壓。這種工作模式不需要互補(bǔ)有源鉗位電路所需的脈沖串工作模式,避免了互補(bǔ)模式控制帶來的更高輸出紋波和音頻噪聲的風(fēng)險(xiǎn)。


總結(jié)


離線反激式電源需要使用初級(jí)側(cè)鉗位電路來保護(hù)功率MOSFET。使用無源RCD鉗位成本低,但性能較低。使用具有互補(bǔ)控制方案的有源鉗位可以提高性能,但仍然存在局限性。InnoSwitch4-CZ IC產(chǎn)品系列可提供獨(dú)特的控制架構(gòu),進(jìn)而實(shí)現(xiàn)更復(fù)雜的非互補(bǔ)有源鉗位控制,采用此方案可設(shè)計(jì)出具有非常寬的輸入電壓范圍和較大的輸出電壓設(shè)定點(diǎn)變化的高效、超緊湊USB PD充電器。Power Integrations的InnoSwitch4-CZ/ClampZero芯片組可用于簡化采用非互補(bǔ)控制的有源鉗位方案,并加快上市時(shí)間。

(來源:Power Integrations,作者:Roland Saint Pierre,Power Integrations新產(chǎn)品定義總監(jiān))


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