N溝道耗盡型功率MOSFET的電路符號在圖1中給出。端子標(biāo)記為G（柵極），S（源極）和D（漏極）。IXYS耗盡型功率MOSFET具有稱為垂直雙擴(kuò)散MOSFET或DMOSFET的結(jié)構(gòu)，與市場上的其他耗盡型功率MOSFET（例如高VDSX，大電流和高正向偏置安全工作區(qū)（FBSOA））相比，具有更好的性能。 ）。

 

圖2顯示了典型的漏極電流（ID）與漏極至源極電壓（V DS）特性（稱為輸出特性）的關(guān)系。它與N通道增強(qiáng)模式功率MOSFET的曲線圖相似，不同之處在于它的VGS電流線為-2 V，-1 V和0V。

 

圖2 N溝道耗盡型功率MOSFET的輸出特性

 

導(dǎo)通狀態(tài)漏極電流ID（on）是數(shù)據(jù)手冊中定義的參數(shù)，是當(dāng)柵極至源極之間以特定的漏極至源極電壓（VDS）在漏極與源極之間流動的電流電壓（VGS）為零（或短路）。通過施加正柵極-源極（VGS）電壓，該器件可提高電流傳導(dǎo)水平。另一方面，負(fù)柵極至源極（VGS）電壓會減小漏極電流。如圖2所示，該器件在VGS = -3V時停止傳導(dǎo)漏極電流。此-3V稱為器件的柵極至源極截止電壓或閾值電壓（VGS（off））。為了確保正確導(dǎo)通，施加的柵極-源極（VGS）電壓應(yīng)接近0V，并且要正確截止，應(yīng)施加比截止電壓（VGS（off））更多的負(fù)VGS電壓。從理論上講

 

 

注意，公式（1）是一個理論公式，在大多數(shù)情況下，它不會估算出漏極電流的準(zhǔn)確值。VGS（off）的范圍為-4 V至-2 V，ID（on）取決于VGS（off）和溫度。