圖1：DDR2 DIMM連接器

DDR2 是現(xiàn)有 DDR 標準的改進版本，可輕松應對目前速度最快的 400MHz 至 500MHz DDR 所面臨的巨大挑戰(zhàn)。與 DDR 相比，DDR2 可在相同總線頻率下將數據速率提高一倍，因而可有效增加數據帶寬或容量。DDR2 可提供比目前最快的 DDR（約 3.2GB/s）更出色的數據吞吐。這一內存技術催生了新一代更高性能電腦系統(tǒng)的問世，其中包括臺式電腦、工作站、服務器、便攜設備以及路由器和交換機等新型通訊產品。

Molex 支持 DDR2 標準，并且是 JEDEC 的積極成員，致力于開發(fā)新一代的內存平臺。Molex DDR2 內存插座可接受 MO-237 JEDEC 型號的 DDR2 標準模塊。 Molex 可充分滿足高數據吞吐量應用和要求，并始終致力于高速連接器的開發(fā)，可確保連接器設計以最低的應用成本提供最出色的可靠性能。

DDR3 DIMM 插槽

DDR3 DIMM 內存模塊插槽為要求嚴苛的存儲器應用提高了數據帶寬和性能,DDR3 必然會在未來的計算架構中成為現(xiàn)有 DDR2 技術的替代品。

圖2：DDR3 DIMM 插槽連接器

DIMM（Dual Inline Memory Module，雙列直插內存模塊）與SIMM(single in-line memory module，單邊接觸內存模組)相當類似，不同的只是DIMM的金手指兩端不像SIMM那樣是互通的，它們各自獨立傳輸信號，因此可以滿足更多數據信號的傳送需要。同樣采用DIMM，SDRAM 的接口與DDR內存的接口也略有不同，SDRAM DIMM為168Pin DIMM結構，金手指每面為84Pin，金手指上有兩個卡口，用來避免插入插槽時，錯誤將內存反向插入而導致燒毀；DDR2 DIMM則采用240pin DIMM結構，金手指每面有120Pin?？跀盗康牟煌?，是二者最為明顯的區(qū)別。DDR3 DIMM同為240pin DIMM結構，金手指每面有120Pin，與DDR2 DIMM一樣金手指上也只有一個卡口，但是卡口的位置與DDR2 DIMM稍微有一些不同，因此DDR3內存是插不進DDR2 DIMM的，同理DDR2內存也是插不進DDR3 DIMM的，因此在一些同時具有DDR2 DIMM和DDR3 DIMM的主板上，不會出現(xiàn)將內存插錯插槽的問題。

miniDIMM

Molex 是 miniDIMM 連接器的領先開發(fā)商。此連接器采用 0.60 毫米的間距和高度可靠的觸點設計，是高端應用中頗受歡迎的解決方案。

圖3：miniDIMM連接器

JEDEC 標準 0.60 毫米（.024 英寸）間距插座常用于小尺寸電腦和小尺寸服務器中，其中包括 1U、刀片服務器以及高可靠性的網絡路由器。Molex 在現(xiàn)有的垂直 miniDIMM 插座基礎上增加了標準和反向配置的彎角和直角型號。

據 Molex 預計，miniDIMM 模塊將在眾多應用領域中得到廣泛運用，尤其那些需要在高可靠性設備中提供 ECC 的應用更是如此。類似模塊還可用于面向電腦和服務器并采用 DIMM 型鎖閂的垂直和彎角連接器中。

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全緩沖 DIMM

Molex 的全緩沖 DIMM (FB DIMM) 開發(fā)動力是市場對更大更快內存容量的需求。

圖4：全緩沖 DIMM

DDR DIMM

1.27 毫米（0.050 英寸）間距雙數據速率 DIMM。這種 184 線 DIMM 插槽可提供垂直式和傾斜式。插接JEDEC MO-206 模塊。

圖5：全緩沖 DIMM

DIMM

DIMM 是一種雙列直插式內存模塊，內含旨在存放內存芯片的小型電路板。它是一種通常在個人電腦中用于提高可靠性、速度和內存系統(tǒng)密度的內存技術。

圖6：全緩沖 DIMM

Dual-Inline-Memory-Modules,即雙列直插式存儲模塊。這是在奔騰CPU推出后出現(xiàn)的新型內存條，DIMM提供了64位的數據通道，因此它在奔騰主板上可以單條使用。它有168條引腳，故稱為168線內存條。它要比SIMM插槽要長一些，并且它也支持新型的168線EDO-DRAM存儲器。就目前而言，適用DIMM的內存芯片的工作電壓一般為3.3V（使用EDORAM內存芯片的168線內存條除外），適用于SIMM的內存芯片的工作電壓一般為5V（使用EDORAM或FBRAM內存芯片），二者不能混合使用。

S.O. DIMM

200 電路 DDR/DDR2 SODIMM 插座可為筆記本電腦設計者提供良好解決方案。其輕薄外形可令筆記本電腦設計者采用更小的機箱，從而進一步開發(fā)更輕更小的筆記本電腦。DDR (2.5 V) 和 DDR2 (1.8 V) 型號的 SODIMM 插座幾乎完全相同，區(qū)別僅在于電壓鍵的位置有所不同。這樣可有效防止將錯誤的存儲模塊類型與插座配插。DDR2 是 DDR 內存技術的升級版本。它速度更快，可提供更高帶寬、更低能耗和更出色的熱量管理性能。

圖7：全緩沖 DIMM

Molex 是負責制定存儲器行業(yè)標準的 JEDEC 工作小組的積極成員。DDR/DDR2 SODIMM 插座可接受符合 JEDEC MO-224 輪廓線要求的模塊。產品采用無鉛鍍層，并符合 RoHS。

FB-DIMM

因為目前的內存主要是采用傳統(tǒng)的64位并行設計，即北橋芯片的內存控制器與內存模塊之間均通過64位的并行總線來數據交換，但此類并行總線設計有一個最大的缺點：就是相鄰線路很容易受到干擾。這是因為目前的DIMM采用一種“短線連接”(Stub-bus)的拓撲結構。

在這種結構中，每個芯片與內存控制器的數據總線都有一個短小的線路相連，這樣會造成電阻抗的不連續(xù)性，從而影響信號的穩(wěn)定與完整，頻率越高或芯片顆粒越多，影響也就越大。這也是目前基于此類并行體系的內存如DDR頻率低下的原因。