產(chǎn)品特性：

• 面積降至萬分之一以下
• 處理速度提高到1000倍
• 相位控制效率提高到10倍

應(yīng)用范圍：

• 從時分復用的光信號中指定信道

日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所宣布，采用半導體技術(shù)開發(fā)出了芯片面積在1mm2以下的光開關(guān)。與原來由單個部件構(gòu)成的產(chǎn)品相比，面積降至萬分之一以下。據(jù)產(chǎn)綜研介紹，現(xiàn)已證實，利用該元件能夠從由40Gbps的4信道時分復用而成的160Gbps光信號中選出指定信道。

光開關(guān)是指，像鐵路道岔一樣，對輸入光線的輸出端進行切換的波導路。過去的光開關(guān)大多采用通過光程差來干擾光的馬赫-曾德爾（MZ）型干涉儀。不過，存在的課題是不容易實現(xiàn)小型化和集成化。

此次開發(fā)的光開關(guān)結(jié)合了利用光的相位調(diào)制技術(shù)和干擾反射光的邁克爾遜干涉儀。元件面積最小為0.3mm2。采用MZ型干涉儀的光開關(guān)，其干涉部分的面積為約10cm2，而此次開發(fā)的光開關(guān)尺寸降至其萬分之一以下。之所以能夠減小尺寸，最主要的原因是“通過將干涉儀換成邁克爾遜型干涉儀，使相位調(diào)制部分與控制光的導入部分得以貼近”。另外，使用MZ型干涉儀時，利用現(xiàn)有技術(shù)很難像此次這樣集成在1個芯片上。

利用子帶間躍遷將處理速度提高到1000倍
利用光的光相位調(diào)制技術(shù)也叫做全光相位調(diào)制。這是利用子帶間躍遷（ISBT）原理實現(xiàn)的。ISBT指在半導體的各價帶或?qū)е谐霈F(xiàn)的能級（子帶）之間進行能量躍遷。與價帶和導帶之間的躍遷相比，激發(fā)的電子釋放出晶格振動（聲子）后返回基態(tài)子帶的概率很高，從激發(fā)到緩解的時間非常短，只有數(shù)ps。也就是說，通過利用這種ISBT才能將光相位調(diào)制技術(shù)應(yīng)用于超過100Gbps的高速數(shù)據(jù)傳輸處理上。而在價帶與導帶間的躍遷中，從激發(fā)到緩解需要數(shù)ns時間，只能實現(xiàn)數(shù)百MHz左右的數(shù)據(jù)處理。

之所以能利用ISBT控制光相位，是因為達到激發(fā)狀態(tài)時，波導路的折射率會發(fā)生改變。要想達到激發(fā)狀態(tài)，控制光要采用光的磁場與量子肼平面平行的 “TM（transverse magnetic）偏振波”。而電場與量子肼平面平行的TE（transverse electric）偏振波則作為信號光使用。因TE偏振波與ISBT無關(guān)，因此能夠明確分清控制光和信號光的作用。

相位控制的效率也提高到10倍
產(chǎn)綜研過去一直在利用ISBT研發(fā)光相位控制技術(shù)。實現(xiàn)ISBT的量子肼結(jié)構(gòu)的是在InP基板上層疊III-V族的半導體層。據(jù)產(chǎn)綜研介紹，此次通過調(diào)整設(shè)計，將原來帶隙波長為1200nm左右的調(diào)整到1450nm左右，從而使相位調(diào)制的效率也提高到了原來的約10倍。產(chǎn)綜研表示最近發(fā)現(xiàn)“帶隙波長越接近信號光的波長，相位調(diào)制的效率就越高”。