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汽車電子

英飛凌絕緣體上硅(SOI)高壓驅(qū)動(dòng)芯片的三個(gè)優(yōu)勢(shì)

現(xiàn)在的高功率變頻器和驅(qū)動(dòng)器承載更大的負(fù)載電流。如下圖1 所示：由于功率回路里的寄生電感（主要由功率器件的封裝引線和PCB的走線產(chǎn)生的），電路中VS腳的電壓會(huì)從高壓母線電壓（S1通S2關(guān)時(shí)）變化到低于地的負(fù)壓（S1關(guān)閉時(shí)）。圖一右邊波形中的紅色部分就是VS腳在半橋感性負(fù)載電路中產(chǎn)生的瞬態(tài)負(fù)電壓。

2022-06-28

英飛凌 SOI 驅(qū)動(dòng)芯片

驅(qū)動(dòng)器源極引腳的效果：雙脈沖測(cè)試比較

在上一篇文章中，我們通過(guò)工作原理和公式了解了有無(wú)驅(qū)動(dòng)器源極引腳的差異和效果。有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的MOSFET可以消除源極引腳的電感帶來(lái)的影響，從而可降低開關(guān)損耗。在本文中，我們將通過(guò)雙脈沖測(cè)試來(lái)確認(rèn)驅(qū)動(dòng)器源極引腳的效果。

2022-06-24

驅(qū)動(dòng)器源極引腳雙脈沖測(cè)試

利用PMBus數(shù)字電源系統(tǒng)管理器進(jìn)行電流檢測(cè)——第二部分

本文第二部分介紹如何測(cè)量高壓或負(fù)供電軌上的電流，以及如何為IMON檢測(cè)方法設(shè)置配置寄存器。本文闡述了測(cè)量電流的精度考慮因素，并提供了使用LTpowerPlay?進(jìn)行器件編程的相關(guān)說(shuō)明。在第一部分，我們介紹了電流檢測(cè)的基本概念，包括各種方法和電路拓?fù)洹?/p>

2022-06-24

PMBus 數(shù)字電源系統(tǒng) 電流檢測(cè)

消除ISO 26262功能安全認(rèn)證過(guò)程中的各種障礙

現(xiàn)今，汽車的各種應(yīng)用中無(wú)不使用數(shù)百到數(shù)千種半導(dǎo)體和其他組件，例如觸摸界面、車載充電器、電池管理系統(tǒng)等等。嚴(yán)格的國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)化組織（ISO）26262功能安全規(guī)范可確保這些日益復(fù)雜和精密的應(yīng)用安全運(yùn)行。然而，開發(fā)合規(guī)設(shè)計(jì)及獲得認(rèn)證的過(guò)程十分耗時(shí)且成本高昂。隨著半導(dǎo)體行業(yè)為汽車原始設(shè)備制造商...

2022-06-23

ISO 26262 Microchip 汽車應(yīng)用

基于功率電感飽和特性要求的電感設(shè)計(jì)與選型優(yōu)化

分析了功率電感飽和特性產(chǎn)生的原因，并且提出一個(gè)假設(shè)模型解釋飽和特性與電感內(nèi)部氣隙寬度之間的關(guān)系并且由此說(shuō)明軟飽和特性和硬飽和特性的產(chǎn)生即由此關(guān)系決定。從電感的飽和特性出發(fā)通過(guò)建立內(nèi)部設(shè)計(jì)的關(guān)鍵參數(shù)并由此得出最優(yōu)化的設(shè)計(jì)選擇，通過(guò)設(shè)計(jì)示例反映不同的設(shè)計(jì)出發(fā)點(diǎn)下對(duì)應(yīng)的性能指標(biāo)差異...

2022-06-23

功率電感飽和特性選型

安森美被納入標(biāo)普500指數(shù)

領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi，美國(guó)納斯達(dá)克股票代號(hào)：ON)，在美國(guó)時(shí)間6月21日開盤交易前被納入標(biāo)普500?指數(shù)。安森美被納入該指數(shù)緊接著公司在2021年的財(cái)政年度收入達(dá)到有史以來(lái)最高的67.4億美元，同比增長(zhǎng)28.3%，且最近還獲認(rèn)定入榜《財(cái)富》美國(guó)500強(qiáng)。

2022-06-22

安森美 ADAS 替代能源

DC-DC升壓穩(wěn)壓器外圍元器件的選擇與優(yōu)化

在便攜和可穿戴設(shè)備等電池供電的低電壓應(yīng)用中，常有一些功能需要較高的電壓才能工作，例如射頻收發(fā)器、精密模擬電路、白光LED背光驅(qū)動(dòng)、雪崩光電二極管(APD)的偏置電路等。這就需要采用DC-DC升壓轉(zhuǎn)換器來(lái)向上轉(zhuǎn)換到所需的電壓，讓設(shè)備既節(jié)能又高效的工作。

2022-06-21

DC-DC 升壓穩(wěn)壓器外圍元器件

如何有效地比較CMOS開關(guān)和固態(tài)繼電器的性能

源極和漏極之間的關(guān)斷電容CDS(OFF)可用來(lái)衡量關(guān)斷開關(guān)后，源極信號(hào)耦合到漏極的能力。它是固態(tài)繼電器（如PhotoMOS?、OptoMOS?、光繼電器或MOSFET繼電器）中常見的規(guī)格參數(shù)，在固態(tài)繼電器數(shù)據(jù)手冊(cè)中通常稱為輸出電容COUT。CMOS開關(guān)通常不包含此規(guī)格參數(shù)，但關(guān)斷隔離度是表征相同現(xiàn)象的另一種方法，關(guān)...

2022-06-20

CMOS開關(guān) 固態(tài)繼電器

功率半導(dǎo)體冷知識(shí)之二：IGBT短路時(shí)的損耗

IGBT主要用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)和各類變流器，IGBT的抗短路能力是系統(tǒng)可靠運(yùn)行和安全的保障之一，短路保護(hù)可以通過(guò)串在回路中的分流電阻或退飽和檢測(cè)等多種方式實(shí)現(xiàn)。

2022-06-17

功率半導(dǎo)體 IGBT 損耗

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