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USB 2.0與USB 3.0功能特性對比分析
對于開發(fā)商而言，挑戰(zhàn)是如何充分利用USB 3.0的潛能。本文將探討使用USB 3.0硬件軟件設(shè)計問題，本文主要介紹的是手持產(chǎn)品。首先，我們將比較USB 2.0和USB 3.0的性能，以及過渡到USB 3.0模塊影響到的器件。
2011-10-07
USB 2.0 USB 3.0 USB
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2011年1-8月電子信息產(chǎn)業(yè)固定資產(chǎn)投資情況
今年以來，在各地大力發(fā)展戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)的帶動下，電子信息產(chǎn)業(yè)固定資產(chǎn)投資保持高速增長，新開工項目明顯增多，基礎(chǔ)元器件領(lǐng)域投資領(lǐng)先增長，行業(yè)結(jié)構(gòu)不斷調(diào)整。主要特點為：增速持續(xù)保持高位，投資規(guī)模超過去年11個月水平；光電器件、新能源電池等領(lǐng)域新開工項目明顯增多，帶動全行業(yè)新開工項目...
2011-10-06
電子信息 電子信息產(chǎn)業(yè)
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2011年硅磁傳感器銷售額預(yù)計增長24%
據(jù)IHS iSuppli公司的MEMS與傳感器專題報告，汽車產(chǎn)業(yè)恢復(fù)生機，全球智能手機和平板電腦對于數(shù)字羅盤的需求上升，正在推動硅磁傳感器市場加速增長，預(yù)計2011年銷售額將上升23.7%。
2011-10-05
硅磁傳感器 傳感器 MEMS
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半導(dǎo)體庫存進(jìn)一步提升 產(chǎn)能過剩警報響起
研究機構(gòu)Gartner表示，2011年三季度半導(dǎo)體庫存將進(jìn)一步提升，達(dá)到“令人擔(dān)憂”的水平。“整個行業(yè)產(chǎn)能過剩的警報已經(jīng)開始響起?！比虻谌蟀雽?dǎo)體代工企業(yè)格羅方德半導(dǎo)體(GlobalFoundries)首席執(zhí)行官AjitManocha明確指出?！?/p>
2011-10-04
半導(dǎo)體 產(chǎn)能 半導(dǎo)體封測
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正確選擇MOSFET四大要素
作為電氣系統(tǒng)中的基本部件，MOSFET需要工程師深入了解其關(guān)鍵特性及指標(biāo)，以做出正確選型。本文講述正確選擇MOSFET的方法，包括確定N/P溝道、確定額定電流、確定熱要求、決定開關(guān)性能四大步驟，根據(jù)RDS（ON）、熱性能、雪崩擊穿電壓及開關(guān)性能指標(biāo)來選擇正確的MOSFET。
2011-10-04
MOSFET MOSFET選擇 MOSFET選型
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第五講：應(yīng)用于汽車照明的LED驅(qū)動器方案
隨著LED性能不斷提升及成本不斷下降，在汽車內(nèi)部及外部照明中的應(yīng)用領(lǐng)域越來越寬。不同應(yīng)用對LED電流的要求又各不相同，故需要結(jié)合具體應(yīng)用要求，選擇適合的LED驅(qū)動器方案，如線性恒流穩(wěn)流器、線性穩(wěn)壓器或開關(guān)穩(wěn)壓器等。本文介紹幾種應(yīng)用比較廣泛的LED驅(qū)動器及具體方案，供設(shè)計人員在進(jìn)行汽車照明...
2011-09-30
LED LED驅(qū)動器 汽車照明
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跨越RFID測試挑戰(zhàn)“三重門”，加速物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展
物聯(lián)網(wǎng)遙不可及還是近在咫尺？工信部電信研究院在2011年5月發(fā)布的物聯(lián)網(wǎng)白皮書中預(yù)計，“十二五”期末中國物聯(lián)網(wǎng)相關(guān)產(chǎn)業(yè)規(guī)模將達(dá)到5,000多億元，形成萬億元級規(guī)模的時間節(jié)點預(yù)計在“十三五”后期。
2011-09-30
RFID 物聯(lián)網(wǎng) 泰克公司
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LED點彩壓階傳輸技術(shù)
LED全彩單總線信號驅(qū)動IC在工程應(yīng)用上給工程設(shè)計人員帶來了更多的信心。壓階傳輸技術(shù)應(yīng)用在單線傳輸技術(shù)基礎(chǔ)上，就顯得格外的簡便，下面我們就以LED全彩單總線驅(qū)動IC—CYT3015為驅(qū)動芯片，來介紹壓階傳輸技術(shù)在LED點彩技術(shù)的應(yīng)用。
2011-09-30
LED 壓階傳輸 壓階 LED點彩
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超級電容器的壽命分析
本文提出了高溫對超級電容器壽命的影響超出預(yù)想的原因并分析了不同的封裝形式在高溫條件下的實際壽命以及壽命減半的溫度差；給出了實際電壓與壽命的相對關(guān)系；分析了不同形式的單體電壓均衡的效果。
2011-09-30
電容 電容器 超級電容器
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