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借助更多的選項(xiàng)響應(yīng)正反饋
負(fù)反饋什么時(shí)候會(huì)變成正反饋？當(dāng)控制工程師想要實(shí)現(xiàn)不錯(cuò)的增益和相位裕度時(shí)。本博文概述第 4 代 SiC FET 如何為設(shè)計(jì)人員提供理想性能和多種器件選擇，同時(shí)支持更高的設(shè)計(jì)靈活性，從而實(shí)現(xiàn)成本效益最優(yōu)的功率設(shè)計(jì)。
2023-07-24
SiC FET 正反饋
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華潤(rùn)微總裁李虹：中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)下滑趨勢(shì)有到底跡象！
6月17日，在廣州南沙召開的第二屆中國(guó)?南沙國(guó)際集成電路產(chǎn)業(yè)論壇（2023 IC NANSHA）上，國(guó)內(nèi)IDM大廠華潤(rùn)微（SH688396）總裁李虹在演講中表示，中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模在過(guò)去的一年當(dāng)中，增速弱于全球，呈現(xiàn)周期性衰退，但下滑趨勢(shì)有到底跡象。
2023-07-24
華潤(rùn)微 中國(guó)半導(dǎo)體 市場(chǎng)下滑
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工程師必須知道的大電流單通道柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)技巧
NCD(V)5700x 是大電流單通道柵極驅(qū)動(dòng)器，內(nèi)置電流隔離功能，用于在高功率應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)高系統(tǒng)效率和可靠性。其特性包括：互補(bǔ)輸入（IN+ 和 IN-），開漏故障（1686908889869977.png）和就緒 (RDY) 輸出，復(fù)位或清除故障功能（1686908875512772.png），有源米勒箝位 (CLAMP)，去飽和保護(hù) (DESAT)，去飽和...
2023-07-21
柵極驅(qū)動(dòng)器 設(shè)計(jì)技巧
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百度智能云AI技術(shù)加身，自動(dòng)駕駛量變到質(zhì)變倍道兼行
當(dāng)前，自動(dòng)駕駛技術(shù)的發(fā)展可謂日新月異，不過(guò)離最高級(jí)別還相去甚遠(yuǎn)。2022年，自動(dòng)駕駛行業(yè)在喜憂參半中前行，一方面，眾多自動(dòng)駕駛公司估值縮水、裁員倒閉，高級(jí)別自動(dòng)駕駛技術(shù)商業(yè)化落地尚需時(shí)日；另一方面，國(guó)內(nèi)自動(dòng)駕駛利好政策密集出臺(tái)，首次實(shí)現(xiàn)立法突破，自動(dòng)駕駛測(cè)試區(qū)不斷增加。
2023-07-20
百度智能云 AI 自動(dòng)駕駛
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深度剖析IGBT柵極驅(qū)動(dòng)注意事項(xiàng)
IGBT晶體管的結(jié)構(gòu)要比 MOSFET 或雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 復(fù)雜得多。它結(jié)合了這兩種器件的特點(diǎn)，并且有三個(gè)端子：一個(gè)柵極、一個(gè)集電極和一個(gè)發(fā)射極。就柵極驅(qū)動(dòng)而言，該器件的行為類似于 MOSFET。它的載流路徑與 BJT 的集電極-發(fā)射極路徑非常相似。圖 1 顯示了 n 型 IGBT 的等效器件電路。
2023-07-20
IGBT 柵極驅(qū)動(dòng) 注意事項(xiàng)
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貿(mào)澤電子第六次斬獲Molex年度全球優(yōu)質(zhì)服務(wù)代理商獎(jiǎng)
2023年7月19日 – 提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) ，宣布榮獲全球電子產(chǎn)品知名企業(yè)和連接創(chuàng)新者M(jìn)olex頒發(fā)的2022年度全球優(yōu)質(zhì)服務(wù)（目錄）代理商獎(jiǎng)。這也是貿(mào)澤第六次斬獲這一全球知名獎(jiǎng)項(xiàng)，貿(mào)澤憑借2022年度全球客戶數(shù)大幅增長(zhǎng)，以及增...
2023-07-19
貿(mào)澤電子 Molex
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高層專訪 | 感知未來(lái)，照亮世界，艾邁斯歐司朗的穩(wěn)健前行
自ams于2019年宣布收購(gòu)OSRAM并成立艾邁斯歐司朗集團(tuán)（ams OSRAM）以后，這家光學(xué)解決方案的全球領(lǐng)導(dǎo)者就穩(wěn)步發(fā)展，“傳感即生活”也一如既往地成為這家光學(xué)巨頭的發(fā)展愿景。
2023-07-19
艾邁斯歐司朗 傳感器
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PFC電路：死區(qū)時(shí)間理想值的考量
由于該電路是進(jìn)行同步整流工作的電路，所以我們通過(guò)仿真來(lái)探討高邊（HS）和低邊（LS）SiC MOSFET SCT2450KE的死區(qū)時(shí)間理想值，即不直通的最短時(shí)間。死區(qū)時(shí)間可以通過(guò)仿真工具的PWM控制器參數(shù)TD1（HS）和TD2（LS）來(lái)分別設(shè)置。
2023-07-18
PFC電路 死區(qū)時(shí)間 理想值
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了解這些 就可以搞懂 IGBT
絕緣柵雙極晶體管（IGBT, Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種三端功率半導(dǎo)體器件，主要用作電子開關(guān)，在較新的器件中以結(jié)合高效和快速開關(guān)而聞名。IGBT通過(guò)在單個(gè)器件中組合用于控制輸入的隔離柵極FET和作為開關(guān)的雙極功率晶體管，將MOSFET的簡(jiǎn)單柵極驅(qū)動(dòng)特性與雙極晶體管的高電流和低飽和...
2023-07-18
工作原理 IGBT
- 克服碳化硅制造挑戰(zhàn)，助力未來(lái)電力電子應(yīng)用
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