采用了無(wú)閂鎖效應(yīng)SOI工藝的高可靠性非隔離型柵極驅(qū)動(dòng)器

 

ROHM的非隔離型柵極驅(qū)動(dòng)器是使用了自舉方式的高邊/低邊柵極驅(qū)動(dòng)器。通過(guò)采用無(wú)閂鎖效應(yīng)SOI工藝，實(shí)現(xiàn)了高可靠性。產(chǎn)生閂鎖效應(yīng)時(shí)，會(huì)流過(guò)大電流，可能會(huì)導(dǎo)致IC或功率元器件損壞?？梢酝ㄟ^(guò)元件布局和制造工藝來(lái)改善抗閂鎖性能，而ROHM的SOI（Silicon On Insulator）工藝通過(guò)SOI基板的完全介電分離法提高了耐壓性能，并且可以從結(jié)構(gòu)上避免閂鎖效應(yīng)。

 

 

反向恢復(fù)時(shí)間更短的超級(jí)結(jié)MOSFET：PrestoMOSTM

 

PrestoMOSTM是一種超級(jí)結(jié)MOSFET，以往的超級(jí)結(jié)MOSFET的問(wèn)題在于內(nèi)部寄生二極管的反向恢復(fù)時(shí)間trr特性，而PrestoMOSTM系列產(chǎn)品不僅具有更短的反向恢復(fù)時(shí)間trr，而且損耗更低。

 

 

與IGBT相比，PrestoMOSTM在中低功率范圍內(nèi)的損耗電壓很小，因而可以減少損耗（參見(jiàn)左下圖）。另外，在電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路等電路中，還可以使用高速內(nèi)部寄生二極管，而無(wú)需使用外置快速恢復(fù)二極管（FRD）來(lái)減少由普通MOSFET和IGBT的再生電流引起的換流損耗。與FRD相比，PrestoMOSTM的寄生二極管的VF更低，因此損耗也更低。

 

 

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