如何優(yōu)化48V輕混電動(dòng)車(MHEV)的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)
發(fā)布時(shí)間:2021-03-02 來源:Issac Hsu 責(zé)任編輯:wenwei
【導(dǎo)讀】制造商制造輕混電動(dòng)車(MHEV)的最終目標(biāo)是減少溫室氣體(GHG)排放。輕混電動(dòng)車包含一個(gè)連接到車輛變速器系統(tǒng)的48V電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)。為了減少溫室氣體排放,輕混電動(dòng)車中的內(nèi)燃機(jī)(ICE)會在車輛滑行時(shí)關(guān)閉,同時(shí)該48V電機(jī)系統(tǒng)會為48V電池充電,以便為車輛供電。在本文中,我將討論48V電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的一種設(shè)計(jì)方法,該設(shè)計(jì)可提供大功率的電機(jī)驅(qū)動(dòng),實(shí)現(xiàn)功能安全并且尺寸更加小巧。
大功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)的注意事項(xiàng)
對于汽車動(dòng)力總成應(yīng)用,典型的48V電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)需要10kW至30kW的電功率。傳統(tǒng)的12V電池系統(tǒng)無法滿足該功率水平,因此必須采用48V架構(gòu)來支持大功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)。
閱讀白皮書《如何構(gòu)建功能安全的小型48V、30kW輕混電動(dòng)車電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)》,詳細(xì)了解如何解決電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)驅(qū)動(dòng)電路中的重大設(shè)計(jì)難題。
如圖1所示,48V電機(jī)驅(qū)動(dòng)器控制外部金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET),以使電機(jī)旋轉(zhuǎn)。這些外部MOSFET必須支持600A以上的電流才能實(shí)現(xiàn)30kW的功率目標(biāo)。有效減小MOSFET的RDS(on)可減小熱耗散和導(dǎo)通損耗,在某些情況下,每個(gè)通道中并聯(lián)多個(gè)MOSFET將有助于分散熱量,如應(yīng)用手冊《使用DRV3255-Q1驅(qū)動(dòng)并聯(lián)MOSFET》中所述。MOSFET的總柵極電荷可能高達(dá)1,000nC。
設(shè)計(jì)人員還需要優(yōu)化由開關(guān)損耗引起的功率耗散,以使整個(gè)解決方案符合汽車電磁兼容性(EMC)規(guī)范。高柵極電流柵極驅(qū)動(dòng)器(如DRV3255-Q1)可以驅(qū)動(dòng)高柵極電荷MOSFET,其峰值源電流高達(dá)3.5A,峰值吸電流高達(dá)4.5A。即使在柵極電荷為1,000nC的情況下,如此高的輸出電流也可以實(shí)現(xiàn)很短的上升和下降時(shí)間??蛇x的柵極驅(qū)動(dòng)器輸出電流水平使您可以微調(diào)上升和下降時(shí)間,從而在開關(guān)損耗和電磁兼容性(EMC)之間進(jìn)行優(yōu)化。
圖1:大功率48V電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的最常見電源架構(gòu)
即使電池的標(biāo)稱電壓為48V,電源電壓也可能因運(yùn)行期間的瞬態(tài)情況而發(fā)生很大的變化;請參閱圖2中國際標(biāo)準(zhǔn)化組織 (ISO) 21780 規(guī)定的電壓水平。此外,考慮到MOSFET寄生體二極管的反向恢復(fù)時(shí)間,電機(jī)驅(qū)動(dòng)器引腳需要能夠承受負(fù)瞬態(tài)電壓。
圖2:ISO 21780規(guī)定的48V系統(tǒng)的電壓水平
憑借能夠承受105V電壓的高側(cè)自舉引腳,DRV3255-Q1能夠在90V的電壓下支持真正的連續(xù)工作,并支持高達(dá)95V的瞬態(tài)電壓。自舉的高側(cè)MOSFET源極和低側(cè)MOSFET源極的額定瞬態(tài)電壓為–15V,從而提供大功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)器系統(tǒng)所需的強(qiáng)大保護(hù)。
48V電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的功能安全注意事項(xiàng)
48V電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)存在產(chǎn)生不必要功耗的風(fēng)險(xiǎn),這可能會導(dǎo)致出現(xiàn)過壓情況,從而損壞系統(tǒng)。正常的系統(tǒng)響應(yīng)是使所有高側(cè)或低側(cè)MOSFET導(dǎo)通,使電機(jī)電流再循環(huán),避免產(chǎn)生更多電流。如果出現(xiàn)故障,系統(tǒng)必須具有適當(dāng)?shù)厍袚Q功能性MOSFET的機(jī)制,以避免進(jìn)一步損壞。實(shí)施此類保護(hù)通常需要外部邏輯和比較器。
利用集成在DRV3255-Q1中的主動(dòng)短路邏輯,您可以決定在檢測到故障情況時(shí)應(yīng)如何響應(yīng)??梢詫⒃撨壿嬇渲脼閱⒂盟懈邆?cè)MOSFET、啟用所有低側(cè)MOSFET或在低側(cè)和高側(cè)MOSFET之間動(dòng)態(tài)切換(具體取決于故障情況),而不是通過禁用所有MOSFET來響應(yīng)故障情況。此外,DRV3255-Q1符合ISO 26262規(guī)定的功能安全標(biāo)準(zhǔn),并包含診斷和保護(hù)功能,可支持ASIL D級的功能安全電機(jī)驅(qū)動(dòng)器系統(tǒng)。
48V電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的尺寸注意事項(xiàng)
發(fā)動(dòng)機(jī)艙中的空間有限,因此要求48V電機(jī)驅(qū)動(dòng)器系統(tǒng)的電路板具有較小的尺寸。圖3展示了傳統(tǒng)48V大功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)的典型電機(jī)驅(qū)動(dòng)器方框圖。要實(shí)現(xiàn)具有強(qiáng)大保護(hù)功能的安全電機(jī)驅(qū)動(dòng)器系統(tǒng),需要使用鉗位二極管、外部驅(qū)動(dòng)電路、匯路電阻器和二極管、比較器以及外部安全邏輯。這些外部器件會導(dǎo)致布板空間增大并使系統(tǒng)成本升高。
圖3:典型的48V大功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)器方框圖
在采用DRV3255-Q1后,通過集成外部邏輯和比較器、可調(diào)節(jié)高電流柵極驅(qū)動(dòng)器以及對大電壓瞬態(tài)的支持(無需額外的外部器件),可以提供顯著的優(yōu)勢來有效減小總體電路板尺寸,如圖4所示。
圖4:簡化的DRV3255-Q1電機(jī)驅(qū)動(dòng)器方框圖
隨著48V輕混電動(dòng)車日益普遍,您是否考慮為下一輛汽車采用輕混電動(dòng)車?
免責(zé)聲明:本文為轉(zhuǎn)載文章,轉(zhuǎn)載此文目的在于傳遞更多信息,版權(quán)歸原作者所有。本文所用視頻、圖片、文字如涉及作品版權(quán)問題,請聯(lián)系小編進(jìn)行處理。
推薦閱讀:
特別推薦
- 克服碳化硅制造挑戰(zhàn),助力未來電力電子應(yīng)用
- 了解交流電壓的產(chǎn)生
- 單結(jié)晶體管符號和結(jié)構(gòu)
- 英飛凌推出用于汽車應(yīng)用識別和認(rèn)證的新型指紋傳感器IC
- Vishay推出負(fù)載電壓達(dá)100 V的業(yè)內(nèi)先進(jìn)的1 Form A固態(tài)繼電器
- 康佳特推出搭載AMD 銳龍嵌入式 8000系列的COM Express緊湊型模塊
- 村田推出3225尺寸車載PoC電感器LQW32FT_8H系列
技術(shù)文章更多>>
- “扒開”超級電容的“外衣”,看看超級電容“超級”在哪兒
- DigiKey 誠邀各位參會者蒞臨SPS 2024?展會參觀交流,體驗(yàn)最新自動(dòng)化產(chǎn)品
- 提前圍觀第104屆中國電子展高端元器件展區(qū)
- 高性能碳化硅隔離柵極驅(qū)動(dòng)器如何選型,一文告訴您
- 貿(mào)澤電子新品推薦:2024年第三季度推出將近7000個(gè)新物料
技術(shù)白皮書下載更多>>
- 車規(guī)與基于V2X的車輛協(xié)同主動(dòng)避撞技術(shù)展望
- 數(shù)字隔離助力新能源汽車安全隔離的新挑戰(zhàn)
- 汽車模塊拋負(fù)載的解決方案
- 車用連接器的安全創(chuàng)新應(yīng)用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall
熱門搜索
濾波電感
濾波器
路由器設(shè)置
鋁電解電容
鋁殼電阻
邏輯IC
馬達(dá)控制
麥克風(fēng)
脈沖變壓器
鉚接設(shè)備
夢想電子
模擬鎖相環(huán)
耐壓測試儀
逆變器
逆導(dǎo)可控硅
鎳鎘電池
鎳氫電池
紐扣電池
歐勝
耦合技術(shù)
排電阻
排母連接器
排針連接器
片狀電感
偏光片
偏轉(zhuǎn)線圈
頻率測量儀
頻率器件
頻譜測試儀
平板電腦