【導(dǎo)讀】SGM6612A是一顆20V/10A同步升壓轉(zhuǎn)換器芯片，內(nèi)置門驅(qū)動(dòng)器用于驅(qū)動(dòng)外部開關(guān)斷開負(fù)載。通過(guò)集成兩個(gè)14mΩ高/低壓側(cè)電源開關(guān)，SGM6612A可提供高達(dá)10A的開關(guān)峰值電流和20V輸出電壓，從而為包括便攜式揚(yáng)聲器、液晶顯示器源驅(qū)動(dòng)、功率放大器電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器電源及USB Type-C電源在內(nèi)的便攜式設(shè)備提供一種高效率、小尺寸的電源解決方案。
SGM6612A采用固定頻率峰值電流拓?fù)浼軜?gòu)來(lái)調(diào)節(jié)輸出電壓，能夠以最小的輸出電容提供出色的線性和負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)。中等或重載條件下，SGM6612A采用脈寬調(diào)制（Pulse Width Modulation，PWM）模式；輕負(fù)載條件下，SGM6612A進(jìn)入自動(dòng)脈沖頻率調(diào)制（Pulse Frequency Modulation，PFM）模式以提高效率。
圖1 SGM6612A功能框圖
一顆出色的模擬芯片該具備怎樣的性能？
從圖1可以看出，SGM6612A所需要的外部器件很少，并且還提供一個(gè)單獨(dú)的DISDRV引腳來(lái)驅(qū)動(dòng)負(fù)載輸出端的外部FET，在設(shè)備關(guān)斷或輸出短路時(shí)能完全斷開輸入與輸出的連接。啟動(dòng)時(shí)，通過(guò)內(nèi)部55μA吸入電流源來(lái)控制外部P-FET開關(guān)。如果電感電流達(dá)到了短路保護(hù)電流限制閾值（典型值20A），或者輸出電壓降低到了正常輸出值的70%，SGM6612A將進(jìn)入自動(dòng)切斷短路保護(hù)（Hiccup）模式并提供90ms的短路保護(hù)，并在短路條件解除后自動(dòng)恢復(fù)。此外，該裝置還提供輸出過(guò)壓保護(hù)、電感限流保護(hù)和熱關(guān)機(jī)保護(hù)機(jī)制。
圖2 輸出短路保護(hù)
圖3-圖8展示了SGM6612A（左）與競(jìng)品（右）在不同條件下的性能對(duì)比：
圖3 電感3.3μH、輸出16V時(shí)不同負(fù)載的效率曲線對(duì)比
不同輸入電壓下（設(shè)定16V），不同輸出負(fù)載下的輸出電壓（Output Voltage vs. Load），SGM6612A有更好的負(fù)載調(diào)整率。
圖4 不同輸入電壓、不同輸出負(fù)載下的輸出電壓對(duì)比
在輸入電壓6V至14V、輸出電壓16V、開關(guān)頻率500kHz條件下，P-FET連接在電路中，3A滿載輸出電流下的各項(xiàng)實(shí)測(cè)值。
01 輸出1A負(fù)載的紋波電壓時(shí)，SGM6612A紋波電壓都在輸出值的0.5%以內(nèi)
圖5 輸出1A負(fù)載的紋波電壓對(duì)比
02 負(fù)載變化瞬態(tài)響應(yīng)
圖6 負(fù)載變化瞬態(tài)響應(yīng)
03 輸出短路時(shí)的芯片響應(yīng)
圖7 輸出短路時(shí)的芯片響應(yīng)
04 輸出短路釋放后的實(shí)際響應(yīng)
圖8 輸出短路釋放后的實(shí)際響應(yīng)
上述測(cè)試數(shù)據(jù)可以看出，SGM6612A支持最高2.2MHz的可編程電阻開關(guān)頻率；采用峰值電流控制拓?fù)湟员Ｗo(hù)器件在升壓運(yùn)行階段不會(huì)過(guò)載；具有短路保護(hù)功能和過(guò)壓保護(hù)功能；在輕載條件下自動(dòng)強(qiáng)制PFM模式，通過(guò)降低開關(guān)損耗來(lái)提高效率，最高效率可達(dá)95%。
特征
● 輸入電壓范圍：2.7V至16V
● 輸出電壓范圍：4.5V至20V
● 高達(dá)10A可編程電阻器電流限制
● 集成兩個(gè)14mΩ低導(dǎo)通電阻內(nèi)部FET
● 在輸入電壓7.2V、輸出電壓16V、輸出電流2A時(shí)，效率高達(dá)95%
● 電阻器開關(guān)頻率可編程，高達(dá)2.2MHz
● 用于負(fù)載斷開的門驅(qū)動(dòng)器
● 自動(dòng)切斷短路保護(hù)功能
● 過(guò)電壓保護(hù)
● 輕載自動(dòng)PFM模式
● 綠色TQFN-3×3.5-13L封裝
推薦閱讀：
