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相控陣天線方向圖——第1部分:線性陣列波束特性和陣列因子

發(fā)布時間:2020-07-01 來源:Peter Delos, Bob Broughton, 和 Jon Kraft 責(zé)任編輯:wenwei

【導(dǎo)讀】雖然數(shù)字相控陣在商業(yè)以及航空航天和防務(wù)應(yīng)用中不斷增長,但許多設(shè)計工程師對相控陣天線并不算了解。相控陣天線設(shè)計并非新生事物,經(jīng)過數(shù)十年的發(fā)展,這一理論已經(jīng)相當(dāng)成熟,但是,大多數(shù)文獻(xiàn)僅適合精通電磁數(shù)學(xué)的天線工程師。隨著相控陣開始包含更多混合信號和數(shù)字內(nèi)容,許多工程師可以從更直觀的相控陣天線方向圖說明中獲益。事實證明,相控陣天線行為與混合信號和數(shù)字工程師每天處理的離散時間采樣系統(tǒng)之間有許多相似之處。
 
本系列文章的目的并非培養(yǎng)天線設(shè)計工程師,而是向使用相控陣子系統(tǒng)或器件的工程師展現(xiàn)他們的工作對相控陣天線方向圖的影響。
 
波束方向
 
首先,讓我們來看看一個直觀的相控陣波束轉(zhuǎn)向示例。圖1是一個簡單的圖示,描繪了波前從兩個不同方向射向四個天線元件。在接收路徑上的每個天線元件后面都會產(chǎn)生延時,之后所有四個信號再匯總到一起。在圖1a中,該延時與波前到達(dá)每個元件的時間差一致。在本例中,產(chǎn)生的延時會導(dǎo)致四個信號同相到達(dá)合并點。這種一致的合并會增強(qiáng)組合器輸出的信號。在圖1b中,產(chǎn)生的延時相同,但在本例中,波前與天線元件垂直。現(xiàn)在產(chǎn)生的延時與四個信號的相位不一致,因此組合器輸出會被大幅削弱。
 
相控陣天線方向圖——第1部分:線性陣列波束特性和陣列因子
圖1.理解轉(zhuǎn)向角度。
 
在相控陣中,延時是波束轉(zhuǎn)向所需的可量化變量。但也可以通過相移來仿真延時,這在許多實現(xiàn)中是十分常見且實用的做法。我們將在介紹波束斜視的部分討論延時與相移的影響,但目前我們先來了解相移實現(xiàn),然后推導(dǎo)相應(yīng)相移的波束轉(zhuǎn)向計算。
 
圖2所示為使用移相器而非延時的相控陣排列。請注意,我們將瞄準(zhǔn)線方向(θ = 0°)定義為垂直于天線正面。瞄準(zhǔn)線右側(cè)定義為正角θ,瞄準(zhǔn)線左側(cè)定義為負(fù)角。
 
相控陣天線方向圖——第1部分:線性陣列波束特性和陣列因子
圖2.使用RF移相器的相控陣概念。
 
要顯示波束轉(zhuǎn)向所需的相移,可以在相鄰元件之間繪制一組直角三角形,如圖3所示。其中,ΔΦ表示這些相鄰元件之間的相移。
 
相控陣天線方向圖——第1部分:線性陣列波束特性和陣列因子
圖3.相移ΔΦ與波束轉(zhuǎn)向角度的推導(dǎo)。
 
圖3a定義了這些元件之間的三角恒等式,各元件之間相隔距離用(d)表示。波束指向與瞄準(zhǔn)線相距θ的方向,波束距離視平線的角度為φ。在圖3b中,我們看到θ與φ的和為90°。這樣我們就可以計算L,因為L = dsin(θ),L表示波傳播的變量距離。波束轉(zhuǎn)向所需的延時等于波前遍歷該距離L所用的時間。如果將L視作波長的分?jǐn)?shù),則相位延遲可以用該延時替代。ΔΦ等式可以定義為相對于θ,如圖3c所示以及等式1中的重復(fù)計算。
 
相控陣天線方向圖——第1部分:線性陣列波束特性和陣列因子
 
如果元件間隔正好等于信號波長的一半,則可以進(jìn)一步簡化為:
 
相控陣天線方向圖——第1部分:線性陣列波束特性和陣列因子
 
我們以具體示例來計算這些等式。假設(shè)兩個天線元件間隔15 mm。如果一個10.6 GHz的波前以距離機(jī)械瞄準(zhǔn)線30°的角度到達(dá),那么這兩個元件之間的最佳相移是多少?
 
相控陣天線方向圖——第1部分:線性陣列波束特性和陣列因子
 
所以,如果波前以θ = 30°到達(dá),并將相鄰元件的相位移動95°,則可以使兩個元件各自的信號實現(xiàn)一致疊加。這樣就可以使該方向的天線增益達(dá)到最大值。
 
為深入理解相移如何隨著波束方向(θ)而變,圖4以圖形方式繪制了不同條件下的這些等式圖解。從這些圖形中可以觀察到一些有趣的現(xiàn)象。比如,d = λ/2時,瞄準(zhǔn)線附近的斜率約為3:1,即等式2中的乘數(shù)π。這種情況還展示出,元件之間達(dá)到180°完整相移會使波束方向達(dá)到理論相移90°。實際上,在真實的元件方向圖中,這是不可能實現(xiàn)的,但等式的確顯示出理論上的理想值。需要注意的是,d > λ/2時,不存在能夠提供完整波束位移的相移。在后面的文章中,我們將會介紹該情況會導(dǎo)致天線方向圖中的柵瓣,該圖形是第一次表明,d > λ/2情況下的行為有所不同。
 
相控陣天線方向圖——第1部分:線性陣列波束特性和陣列因子
圖4.三種d/λ情況下,元件之間的相移ΔΦ與波束方向(θ)之間的關(guān)系。
 
等間隔線性陣列
 
上文推導(dǎo)的等式僅適用于兩個元件。但實際的相控陣可能在兩個維度上包含數(shù)千個間隔開的元件。但出于本文用途,我們僅考慮一個維度:線性陣列。
 
線性陣列為單元件寬度,其中包含N個元件。不同線性陣列,間隔可能各有不同,但同一線性陣列通常是等間隔。因此,在本文中,我們將各個元件之間的間隔設(shè)為統(tǒng)一距離d(圖5)。該等間隔線性陣列模型雖然是簡化版,但基本介紹了天線方向圖如何形成以及各種不同的條件。我們可以進(jìn)一步運(yùn)用線性陣列原理來理解二維陣列。
 
相控陣天線方向圖——第1部分:線性陣列波束特性和陣列因子
圖5.等間隔線性陣列(N = 4)。
 
近場與遠(yuǎn)場
 
如何將上文針對N = 2的線性陣列推導(dǎo)的公式運(yùn)用到N = 10,000的線性陣列呢?現(xiàn)在,似乎每個天線元件都以稍微不同的角度指向球形波前,如圖6所示。
 
相控陣天線方向圖——第1部分:線性陣列波束特性和陣列因子
圖6.RF信號源與線性陣列較近。
 
如果RF源較近,則每個元件的入射角不同。這種情況稱為近場。我們可以算出所有這些角度,有時需要這么做是為了進(jìn)行天線測試和校準(zhǔn),因為我們的測試裝置只能這么大。但如果RF源較遠(yuǎn),則就是圖7所示的情況。
 
相控陣天線方向圖——第1部分:線性陣列波束特性和陣列因子
圖7.RF信號源與線性陣列相隔較遠(yuǎn)。
 
如果RF源較遠(yuǎn),則球形波前的大半徑會導(dǎo)致大致平行的波傳播路徑。因此,所有波束角均相等,每個相鄰元件的路徑長度(L = d × sinθ)均超過隔壁元件。這樣簡化了數(shù)學(xué)計算,意味著我們推導(dǎo)出來的雙元件等式可以應(yīng)用到數(shù)千個元件,但前提是這些元件間隔相同。
 
但在什么情況下可以做出遠(yuǎn)場假設(shè)?遠(yuǎn)場有多遠(yuǎn)?雖然稍顯主觀,但通常而言,遠(yuǎn)場定義是超過:
 
相控陣天線方向圖——第1部分:線性陣列波束特性和陣列因子
 
其中,D表示天線直徑(對于等間隔線性陣列為(N-1) × d)
 
對于小型陣列(D值小)或低頻(λ值大),遠(yuǎn)場距離較小。但對于大型陣列(或高頻),遠(yuǎn)場距離可能長達(dá)數(shù)千米!這樣測試和校準(zhǔn)陣列就十分困難。對于這類情況,可以使用更為詳細(xì)的近場模型,然后再按比例擴(kuò)展到真實世界使用的遠(yuǎn)場陣列。
 
天線增益、方向性和孔徑
 
在繼續(xù)深入之前,先了解天線增益、方向性和孔徑的定義十分有用。首先介紹增益與方向性,因為這兩個概念經(jīng)?;Q使用。天線增益和方向性是相較于各向同性天線而言,各向同性天線是所有方向均勻輻射的理想天線。方向性是指在特定方向上測得的最大功率Pmax與所有方向輻射的平均功率Pav的比值。如果沒有定義方向,則方向性通過等式4確定。/p>
 
相控陣天線方向圖——第1部分:線性陣列波束特性和陣列因子
 
在比較天線時,方向性是一個有用指標(biāo),因為它定義了集中輻射能量的能力。增益與方向性的方向圖相同,但增益包含天線損耗。
 
相控陣天線方向圖——第1部分:線性陣列波束特性和陣列因子
 
Prad是總輻射功率, Pin是輸入到天線的功率,k表示天線輻射過程中的損耗。
 
接下來,我們將天線方向圖視為三維方向的函數(shù),將方向性視為波束寬度的函數(shù)。
 
相控陣天線方向圖——第1部分:線性陣列波束特性和陣列因子
圖8.投射到球體的面積的三維視圖。
 
球體的總表面積是4π2,球體上的面積以球面度為單位定義,等于球體中的4π球面度。因此,來自各向同性輻射體的功率密度為
 
相控陣天線方向圖——第1部分:線性陣列波束特性和陣列因子
 
采用的單位為(W/m2).
 
球體上的一塊面積有兩個角方向。在雷達(dá)系統(tǒng)中,這兩個角方向通常稱作方位角和俯仰角。波束寬度可以描述為每個角方向的函數(shù)(θ1和θ2):該組合會在球體上形成一塊面積ΩA.
 
ΩA是以球面度為單位表示的波束寬度,可以近似為ΩA ≈ θ1 × θ2.
 
確認(rèn)ΩA為球體上的面積后,方向性可以表示為
 
相控陣天線方向圖——第1部分:線性陣列波束特性和陣列因子
 
我們將要考慮的第三個天線術(shù)語是孔徑。天線孔徑表示用于接收電磁波的有效面積,包含相對于波長的函數(shù)。各向同性天線的孔徑為
 
相控陣天線方向圖——第1部分:線性陣列波束特性和陣列因子
 
增益是相對于各向同性天線而言,產(chǎn)生的有效天線孔徑為
 
相控陣天線方向圖——第1部分:線性陣列波束特性和陣列因子
 
綜合三個術(shù)語來看,可以將增益視作用于定義輻射方向圖的角的函數(shù),表示天線中的效率(或損耗)。
 
線性陣列的陣列因子
 
目前,我們能夠預(yù)測元件之間的最佳時間(或相位)變量來實現(xiàn)最大天線方向性。但我們非常需要了解和操作完整的天線增益方向圖。這分為兩個主要方面。首先,陣列的每個獨立元件(或許是貼片)都存在增益,稱為元件因子(GE)。其次,通過陣列波束成型會產(chǎn)生增益影響,稱為陣列因子 (GA)。全陣列天線增益方向圖是這兩個因子的組合,如等式10所示。
 
相控陣天線方向圖——第1部分:線性陣列波束特性和陣列因子
 
相控陣天線方向圖——第1部分:線性陣列波束特性和陣列因子
圖9.元件因子和陣列因子。
 
圖9.元件因子和陣列因子。GE表示陣列中單個元件的輻射方向圖。其定義取決于天線的幾何形狀和構(gòu)造,而不是在運(yùn)行中會發(fā)生變化的因素。知道這一點很重要,因為這會限制總陣列的增益——尤其是靠近視平線時。但由于我們不采用電子控制,因此可以將它保持固定不變,作為總相控陣增益等式的影響因子。在本文中,我們假設(shè)所有獨立元件都有相同的元件因子。
 
接下來重點介紹陣列因子GA。陣列因子的計算基于陣列幾何結(jié)構(gòu)(d表示等間隔線性陣列)和波束權(quán)重(幅度和相位)。推導(dǎo)等間隔線性陣列的陣列因子十分簡單,但本文末尾引用的參考文獻(xiàn)中詳細(xì)介紹了相關(guān)內(nèi)容。
 
文獻(xiàn)中使用的等式各有不同,具體取決于線性陣列參數(shù)的定義方式。我們使用本文中的等式,以便與圖2和圖3中的定義保持一致。由于主要問題在于增益如何變化,因此繪制相對于單位增益的標(biāo)準(zhǔn)化陣列因子通常更具指導(dǎo)意義。標(biāo)準(zhǔn)化陣列因子可以寫為等式11。
 
相控陣天線方向圖——第1部分:線性陣列波束特性和陣列因子
 
相控陣天線方向圖——第1部分:線性陣列波束特性和陣列因子
 
我們已將波束角度θ0定義為元件之間的相移的函數(shù)θ0;因此,我們也可以將標(biāo)準(zhǔn)化天線因子寫為等式12
 
相控陣天線方向圖——第1部分:線性陣列波束特性和陣列因子
 
陣列因子等式中假設(shè)的條件包括:
 
●  元件間距相等。
●  元件之間的相移相同。
●  所有元件的幅度相同。
 
接下來,我們利用這些等式繪制多種陣列尺寸的陣列因子。
 
相控陣天線方向圖——第1部分:線性陣列波束特性和陣列因子
圖10.位于線性陣列瞄準(zhǔn)線的標(biāo)準(zhǔn)化陣列因子,其中元件間隔為d = λ/2,元件數(shù)量分別為8、16和32。
 
相控陣天線方向圖——第1部分:線性陣列波束特性和陣列因子
圖11.處于多種波束角度的32元件線性陣列的標(biāo)準(zhǔn)化陣列因子,其中元件間隔為d = λ/2。
 
從這些數(shù)據(jù)中可以觀察到以下幾點:
 
●  第一個旁瓣位于–13 dBc,與元件數(shù)量無關(guān)。這是由陣列因子等式中的sinc函數(shù)決定的。旁瓣可以通過逐漸減少元件中的增益來改善,這一主題將在本系列后續(xù)內(nèi)容中探討。
●  波束寬度隨著元件數(shù)量而減小。
●  掃描的波束離瞄準(zhǔn)線越遠(yuǎn),波束寬度會隨之變寬。
●  零點的數(shù)量隨著元件數(shù)量的增加而增多。
 
波束寬度
 
波束寬度是天線角度分辨率的一個指標(biāo)。最常見的是通過半功率波束寬度(HPBW)或主瓣的零點到零點的間隔(FNBW)定義波束寬度。要找到HPBW,從峰值向下移動3 dB,并測量角距,如圖12所示。
 
相控陣天線方向圖——第1部分:線性陣列波束特性和陣列因子
圖12.天線波束寬度的定義(所示線性陣列為N = 8,d = λ/2,θ = 30°)。
 
利用我們的標(biāo)準(zhǔn)化陣列因子等式,可以通過將等式3設(shè)為等于半功率級別(3 dB或1/√2)來解算該HPBW。我們假設(shè)機(jī)械瞄準(zhǔn)線(θ = 0°)、N = 8且d = λ/2。
 
相控陣天線方向圖——第1部分:線性陣列波束特性和陣列因子
 
然后解算?Φ得出0.35 rad。利用等式1并解算θ:
 
相控陣天線方向圖——第1部分:線性陣列波束特性和陣列因子
 
該θ是到達(dá)3 dB點(即HPBW的一半)的峰值。因此,我們只需要將它乘以2即可獲得3 dB點之間的角距。這會得出12.8°的HPBW。
 
我們可以對等于0的陣列因子重復(fù)這個計算,并獲得在前文所述條件下的第一個零點到零點的間隔角度FNBW 28.5°。
 
對于等間隔線性陣列,等式15可計算出HPBW [1,2]的近似值。
 
相控陣天線方向圖——第1部分:線性陣列波束特性和陣列因子
 
圖13繪制了在λ/2元件間隔條件下多種元件數(shù)量的波束寬度與波束角。
 
相控陣天線方向圖——第1部分:線性陣列波束特性和陣列因子
圖13.元件數(shù)量為16、32和100時,元件間隔為λ/2的波束寬度與波束角。
 
在此圖中,值得注意的是與業(yè)界正在開發(fā)的陣列尺寸相關(guān)的一些觀察結(jié)果。
 
●  1°波束精度要求存在100個元件。如果方位角和俯仰角都有此要求,則會產(chǎn)生包含10,000個元件的陣列。1°精度只會出現(xiàn)在近乎理想條件下的瞄準(zhǔn)線處。在現(xiàn)場陣列中,若要在多種掃描角中保持1°精度,將會進(jìn)一步增加元件數(shù)量。這一觀察結(jié)果會為超大陣列設(shè)定波束寬度的實際限制。
 
●  1000個元件的陣列是業(yè)界常見陣列。如果每個方向32個元件,則總共擁有1024個元件,靠近瞄準(zhǔn)線處會產(chǎn)生小于4°的波束精度。
 
●  256個元件的陣列可以低成本量產(chǎn),并且仍具有小于10°的波束指向精度。這或許是許多應(yīng)用能夠接受的理想選擇。
 
●  另外還需注意的是,對于上述任何情況,波束寬度在60°偏移處將會翻倍。這是因為分母中有cosθ,受陣列投影縮減的影響;即,從某個角度觀察時,陣列看起來像是縮小的交叉部分。
 
組合元件因子和陣列因子
 
上一節(jié)僅考慮了陣列因子。但為了找出總天線增益,還需要元件因子。圖14描述了一個示例。在該示例中,我們使用一個簡單的余弦形狀作為元件因子,或標(biāo)準(zhǔn)化元件增益GE(θ)。余弦滾降在相控陣分析中十分常見,如果考慮的是平面,則可以將它顯示出來。在寬邊,有一個最大面積。隨著角度遠(yuǎn)離寬邊,可見面積會隨著余弦函數(shù)而減小。
 
在上文的λ/2間隔、均勻輻射方向圖、含16個元件的線性陣列中使用了陣列因子GA(θ)??偡较驁D是元件因子和陣列因子的線性乘積,因此采用dB刻度,可以將它們相加。
 
相控陣天線方向圖——第1部分:線性陣列波束特性和陣列因子
圖14.元件因子和陣列因子組合形成總天線方向圖。
 
隨著波束遠(yuǎn)離瞄準(zhǔn)線的一些觀察結(jié)果:
 
●  主波束的幅值按照元件因子的速率衰減。
●  瞄準(zhǔn)線上的旁瓣沒有幅度損失。
●  在原理瞄準(zhǔn)線時總體陣列的旁瓣性能下降。
 
天線繪圖:笛卡爾與極坐標(biāo)
 
目前使用的天線方向圖繪圖一直采用笛卡爾坐標(biāo)。但采用極坐標(biāo)繪制天線方向圖也很常見,因為它們更容易表示從天線向外部空間輻射的能量。圖15是圖12的重繪版本,但使用的是極坐標(biāo)。請注意,采用的數(shù)據(jù)完全相同,只是以極坐標(biāo)系統(tǒng)重新繪制。能夠以任一表示方法呈現(xiàn)天線方向圖是十分有意義的,因為這兩種系統(tǒng)在文獻(xiàn)中均會使用。在本系列的大部分內(nèi)容中,我們將使用笛卡爾坐標(biāo),因為該表示方法更容易比較波束寬度和旁瓣性能。
 
相控陣天線方向圖——第1部分:線性陣列波束特性和陣列因子
圖15.N = 8,d = λ/2,θ = 30°的極坐標(biāo)天線方向性繪圖。
 
陣列相互作用
 
截至目前,所有圖解和文字均描述的是陣列接收的信號。那么對于發(fā)射陣列會有何不同呢?幸運(yùn)的是,大多數(shù)天線性陣列存在相互作用關(guān)系。因此,接收天線的所有圖解、等式和術(shù)語與發(fā)射天線相同。有時將波束視為由陣列接收會更容易理解。而有時,比如就柵瓣而言,或許將陣列視為發(fā)射波束更為直觀。在本文中,我們通常將陣列描述為接收信號。但如果對您而言難以想象,也可以從發(fā)射角度思考相同的概念。
 
小結(jié)
 
本系列第1部分至此結(jié)束。本文介紹了關(guān)于相控陣波束轉(zhuǎn)向的概念。推導(dǎo)并以圖形方式展示了用來計算波束轉(zhuǎn)向的陣列相移的等式。然后通過觀察元件數(shù)量、元件間隔和波束角對天線響應(yīng)的影響,定義了陣列因子和元件因子。最后,展示了以笛卡爾與極坐標(biāo)表示的天線方向圖對比。
 
在本系列后續(xù)文章中,將進(jìn)一步探討相控陣天線方向圖和減損。我們將研究天線變窄如何導(dǎo)致旁瓣縮小,柵瓣是如何形成的,以及在寬帶系統(tǒng)中相移與延時的影響。本系列最后將對延遲塊的有限分辨率進(jìn)行分析,介紹它如何形成量化旁瓣并降低波束分辨率。
 
參考電路
 
Balanis, Constantine A. 天線理論:分析與設(shè)計。第三版,Wiley,2005年。
 
Mailloux, Robert J. 相控陣天線手冊。第二版,Artech House,2005年。
 
O’Donnell, Robert M. “雷達(dá)系統(tǒng)工程:簡介。”IEEE,2012年6月。
 
Skolnik, Merrill. 雷達(dá)手冊。第三版,McGraw-Hill,2008年。
 
 
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