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65W 以內(nèi)電源適配器設(shè)計經(jīng)驗

發(fā)布時間:2019-01-11 來源:tingting2013 責任編輯:wenwei

【導讀】接觸電子業(yè)10年,經(jīng)歷過5-6級,無 Y 有 Y,EMI 整改、認證、系列、專案等……以下為我在設(shè)計  65W 以內(nèi)的電源適配器  時的整改小經(jīng)驗。
 
能效整改
 
1. VF 值,肖特基
 
? 低 VF 值的要比普通的要高0.5-3個百分比;
? 品牌、VF 值不一樣,有差別;
? 選型,能用40V 的就不要用45V 或者60V 的,電壓經(jīng)測試可以得出。
 
2. 加速度肖特基的導通
 
電源適配器基本上都在次級加入了 RCD 電路,如圖,可將 R2 更改為 D3(D3為4148),此處更改可增加老化后0.5%的效率,但是 R1 的位置要按測試 EMI 測試出來的數(shù)據(jù)相對應的調(diào)整。
 
65W 以內(nèi)電源適配器設(shè)計經(jīng)驗
 
3. 初級 RCD
 
可將吸收的 D 更改為阻尼二極管。
 
此處更改有以下優(yōu)勢:
 
① MOS 管的峰值會下降。600V 左右的峰值會下降到520V 左右。實測為準。
② 能效,老化5分鐘后,增加0.5%的效率。
③ 注意事項,此時吸收只的 R,取值5M-10M 左右為最佳。
④ 注意 MOS 串在 RCD 上的電阻,太小會影響 EMI,大了也不適合。以測試為準。
 
4. 變壓器
 
此處各位搞工程的都懂,無非就是設(shè)計時的計算與繞線方式。
 
本人經(jīng)驗
 
? 定頻 65KHZ 的 IC 在45-50KHz 時(滿載)最佳。
? 注意10%--25%負載時有沒有異音。
 
5. 電解電容 ESR
 
低 ESR 的效率要高過普通的,包括現(xiàn)在用的高分子電容??梢蕴岣邏勖c能效,是針對低壓大電流的不二選擇。
 
6. 待機
 
高壓起動的 IC,節(jié)省了起動電阻的損耗。非高壓起動的 IC 可加大起動電阻來減少待機功率,但是會影響起動時間,可以按一定條件更改 VCC 起動電容,或者增加二級起動電路等,包括更改假負載電阻等,當然太小了會出現(xiàn)空載不穩(wěn)定的現(xiàn)象等。
 
本文轉(zhuǎn)載自 21Dianyuan
 
 
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