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能源電力

過壓、過流保護(hù)器件的選型和應(yīng)用

電子元件技術(shù)網(wǎng)特邀保護(hù)器件專家講述：小型熔斷器的十大要素、好的熔斷器應(yīng)滿足的條件、影響熔斷器性能的六要素；TVS靜電保護(hù)及濾波器件的選擇，極間電容的選擇，大功率TVS的應(yīng)用等等問題來解讀保護(hù)器件發(fā)展、選型、應(yīng)用。同時(shí)還對社區(qū)內(nèi)工程師實(shí)際遇到的電路保護(hù)熱點(diǎn)問題進(jìn)行總結(jié)，對實(shí)際的應(yīng)用也...

2009-09-25

過壓保護(hù) 過流保護(hù) ESD TVS

負(fù)載開關(guān)的發(fā)展概況

功率MOSFET是一種具有良好開關(guān)特性的器件：導(dǎo)通時(shí)其導(dǎo)通電阻RDS(ON)很小；在關(guān)斷時(shí)其漏電流IDSS很小。另外，它的耐壓范圍很寬，從幾十V到幾百V，漏極電源范圍寬，從幾A到幾十A，所以非常適合作負(fù)載開關(guān)。

2009-09-24

負(fù)載開關(guān) MOSFET

未來五年數(shù)字電源市場增長45.3%

iSuppli公司的最新預(yù)測顯示，未來五年數(shù)字電源市場的年復(fù)合增長率(CAGR)為45.3%。增長最快的領(lǐng)域預(yù)計(jì)將是高端服務(wù)器、數(shù)據(jù)通信和電信市場，預(yù)計(jì)筆記本電腦和顯卡等低端計(jì)算市場將隨后加快增長。

2009-09-23

數(shù)字電源 CAGR 高端服務(wù)器 PID

電子元器件行業(yè)延續(xù)回暖趨勢

從相關(guān)統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)來看，電子元器件產(chǎn)品的出口從2月份起就步入環(huán)比增長軌道;二季度行業(yè)內(nèi)上市公司營業(yè)收入和業(yè)績環(huán)比均出現(xiàn)顯著改善。分析師認(rèn)為，盡管過程或有波動(dòng)，但電子元器件行業(yè)恢復(fù)性增長大趨勢不改。

2009-09-23

電子元器件下滑回暖

Linear發(fā)布45V高壓端電流感測DC/DC轉(zhuǎn)換器

針對汽車和工業(yè)照明等應(yīng)用，凌力爾特（Linear Technology）發(fā)表45V、高壓端電流感測DC/DC轉(zhuǎn)換器LT3519。

2009-09-23

LED驅(qū)動(dòng) 軟啟動(dòng) 高電流

UCD90120：一款排序與系統(tǒng)健康監(jiān)控器（TI）

日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款排序與系統(tǒng)健康監(jiān)控器，該產(chǎn)品具有電源裕度調(diào)節(jié)與綜合非易失性錯(cuò)誤日志功能，可幫助客戶診斷系統(tǒng)中的電源故障。UCD90120 集成 12 個(gè)排序軌，并具有針對多達(dá) 13 個(gè)通道進(jìn)行電壓、電流或溫度監(jiān)控以及 10 個(gè)通道電源裕度調(diào)節(jié)等功能，從而可大幅縮減板級(jí)空間。

2009-09-23

UCD90120 TI 監(jiān)控器

雙晶體管正激有源鉗位軟開關(guān)電源的設(shè)計(jì)

目前很多廠商從300W～1200W的范圍都有使用，同時(shí)可以滿足80PLUS的要求，但是目前要作到85PLUS就很難，不進(jìn)行一些技術(shù)變更幾乎不可能?；谀壳暗那闆r，本文介紹一種利用有源鉗位技術(shù)在雙晶體管正激上實(shí)現(xiàn)軟開關(guān)的設(shè)計(jì)方法，并給出實(shí)際的設(shè)計(jì)案例及實(shí)驗(yàn)結(jié)果。

2009-09-21

雙晶體管開關(guān)電源有源鉗位技術(shù)

VHP100：Vishay超高精度氣密Bulk Metal箔電阻

日前，Vishay宣布，推出新型密封的超高精度Bulk Metal箔電阻 --- VHP100，借由該器件的低電阻溫度系數(shù)，Vishay引入了新的窗口概念。根據(jù)窗口定義，在特定溫度范圍內(nèi)，絕對電阻保持在規(guī)定的窗口內(nèi)。

2009-09-21

VHP100 Vishay 電阻

高壓電容器充電

設(shè)計(jì)一個(gè)高達(dá)kV的高壓電容器充電器或電源不是一件小事。采用通用反激式 PWM 控制器的分立式解決方案需要光耦合器，還要具備監(jiān)視、狀態(tài)指示和保護(hù)功能，這就要很多電路，增加了設(shè)計(jì)復(fù)雜性。尤為重要的是要避免輸入過流，這種情況在發(fā) 生在接通時(shí)會(huì)被誤認(rèn)為是短路的容性負(fù)載所引發(fā)。還必需確保該類型...

2009-09-18

高壓電容 MOSFET

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