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開(kāi)關(guān)電源中元器件的選擇
開(kāi)關(guān)電源屬有穩(wěn)壓功能的AC/DC或DC/DC變換器，其中間環(huán)節(jié)仍然要通過(guò)脈沖狀態(tài)作為轉(zhuǎn)換媒介，元器件的選擇十分復(fù)雜化。
2013-01-05
開(kāi)關(guān)電源 感應(yīng)電壓 充電電流
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開(kāi)關(guān)電源運(yùn)用設(shè)計(jì)方案
DC/DC在接口電路與放大器的電路設(shè)計(jì)方案。實(shí)際使用中常會(huì)碰到一些技術(shù)性問(wèn)題，如干擾、電壓穩(wěn)定性差、可靠性差等等。
2013-01-05
開(kāi)關(guān)電源 運(yùn)用 設(shè)計(jì)
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從過(guò)流、過(guò)壓、過(guò)熱三方面講述IGBT保護(hù)電路如何設(shè)計(jì)
本文從過(guò)流保護(hù)、過(guò)壓保護(hù)與過(guò)熱保護(hù)三個(gè)方面，論述了IGBT的相關(guān)問(wèn)題，并從實(shí)際應(yīng)用中總結(jié)出各種保護(hù)方法，這些方法實(shí)用性強(qiáng)，保護(hù)效果好，是IGBT保護(hù)電路設(shè)計(jì)必備知識(shí)。
2013-01-05
IGBT 保護(hù)電路 過(guò)流保護(hù)
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鋰電池保護(hù)電路如何設(shè)計(jì)？
隨著便攜式設(shè)備不斷小型化、輕量化和高性能化的日益提高，作為其電源的二次電池市場(chǎng)正迅速拓寬，而鋰離子電池的眾多優(yōu)點(diǎn)使其成為了二次電池的主流產(chǎn)品。
2013-01-05
鋰電池 保護(hù)電路 電路設(shè)計(jì)
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PCB工程師必看
在PCB設(shè)計(jì)中如何最大限度地實(shí)現(xiàn)電路的性能指標(biāo)，以達(dá)到電磁兼容要求。
2013-01-05
PCB 設(shè)計(jì) 電磁兼容
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MEMS設(shè)計(jì)的高度復(fù)雜性的體現(xiàn)
針對(duì)困擾MEMS發(fā)展的制約因素，人們一直在尋求相應(yīng)的解決辦法。國(guó)外的研究結(jié)果顯示，MEMS的加工能力強(qiáng)于其設(shè)計(jì)能力。因此，提高M(jìn)EMS的設(shè)計(jì)能力就更為迫切。
2013-01-05
MEMS 器件 微機(jī)電
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適用于用于電信系統(tǒng)和POE網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用程序的MOSFET
AON7280的80V和100V AON7290提供超低RDS的27％和10％，比主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，分別構(gòu)建。的低導(dǎo)通電阻減小導(dǎo)通損耗，并允許器件工作在較低的溫度下。
2013-01-05
MOSFET 電信系統(tǒng) 網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用
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比較不同的電路保護(hù)技術(shù)及濾波技術(shù)
消費(fèi)者要求智能手機(jī)等便攜/無(wú)線設(shè)備具有更多功能特性及采用纖薄型工業(yè)設(shè)計(jì)，這就要求設(shè)計(jì)人員要求更加注重小外形封裝之中的ESD及EMI性能。靜電放電(ESD)保護(hù)及電磁干擾(EMI)正在成為所有電氣設(shè)備越來(lái)越重要的考慮因素。本文將分析電路保護(hù)要求，比較不同的電路保護(hù)技術(shù)及濾波技術(shù)，介紹安森美半導(dǎo)體...
2013-01-05
電路保護(hù) 濾波 安森美
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低鉗位電壓的TVS，非常實(shí)用USB3.0 接口保護(hù)
由于USB3.0的速率非常快，端口的ESD保護(hù)越來(lái)越重要，這就要求保護(hù)器件不能影響這個(gè)信號(hào)質(zhì)量。Semtech新的TVS最大的優(yōu)勢(shì)在于非常低的ESD鉗位電壓，這對(duì)敏感的USB3.0芯片起到很好的保護(hù)作用。
2013-01-05
TVS USB3.0 ESD
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